[发明专利]一种Cr纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810386624.X | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108714691A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘先国;余洁意;孙玉萍 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F9/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合物 纳米点 纳米球 阳极 阴极 液氮冷却 纳米材料制备技术 制备方法和应用 氮气 等离子电弧 纳米复合物 原子百分比 氩气 处理工序 电磁吸收 电弧放电 工作气体 微观结构 吸波涂层 压制成块 阳极靶材 阴极材料 制备过程 放电法 硼粉末 钨电极 铬粉 块体 硼粉 制备 嵌入 引用 | ||
1.一种Cr纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于：
所述Cr纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Cr纳米点嵌入BN纳米球中。
2.一种根据权利要求1所述的Cr纳米点@BN纳米球复合物的制备方法，其特征在于：
所述Cr纳米点@BN纳米球复合物由铬-硼粉末块体在含氮工作气体下利用等离子体电弧放电技术原位制备获得。
3.根据权利要求2所述的一种Cr纳米点@BN纳米球复合物的制备方法，其特征在于具体为：
采用钨电极为阴极，铬-硼粉末块体为阳极靶材，阴极钨电极与阳极靶材铬-硼粉末块体之间保持2～30mm的距离，在阳极靶材周围放置液氮冷却壁，液氮冷却壁与阳极靶材之间保持5～10cm的距离，电弧放电的电压为10～40V，工作气体为氩气和氮气；所述工作气体中氩气的分压为0.01～0.5MPa，氮气的分压为0.1～3.0MPa。
4.根据权利要求2或3所述的一种Cr纳米点@BN纳米球复合物的制备方法，其特征在于：
所述铬-硼粉末块体由铬粉和硼粉在压强1MPa～1GPa下压制而成，所述铬-硼粉末块体中铬的含量为10～20wt%，余量为硼。
5.一种吸波涂层，其特征在于：其由根据权利要求1所述的Cr纳米点@BN纳米复合物加入到基体物质中制得，所述Cr纳米点@BN纳米复合物的含量为40～50wt%，余量为基体物质。
6.根据权利要求5所述的吸波涂层，其特征在于：
所述的基体物质为石蜡。
7.根据权利要求5或6所述的吸波涂层，其特征在于：
其应用于2～18 GHz范围电磁波吸收材料中。
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