[发明专利]一种背接触太阳能电池组的制作方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池组的制作方法，其特征在于，制作工艺步骤如下：

S1，在晶体硅的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅集成板，所述正电荷膜层通过等离子镀铅膜工艺而形成，所述负电荷膜层通过依次进行等离子镀氧化铅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成；

S2，对晶体硅集成板的背光面实行硼扩散工艺，形成硼掺杂区域，损伤层能够阻挡硼原子的扩散，从而在半导体薄片形成多个空穴，所述空穴没有电子变得不稳定，容易吸收电子而中和，形成P型扩散区域；

S3，采用磁控溅射的方式，将磷原子充分深入至晶体硅集成板上，使渗入部分形成N型扩散区域；

S4,采用化学气相沉积法，将完成P型扩散区域和N型扩散区域的晶体硅集成板上均匀涂覆氮化硅膜，所述氮化硅膜的厚度控制在20-50μm；

S5，将加工好的晶体硅集成板外部涂抹乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，并将对应尺寸的钢化玻璃进行粘接；

S6，将步骤S5中的晶体硅集成板放到设有缓冲装置的液压机的模具中，进行冲压，液压机的工作压力为6-12T，缓冲装置的缓冲力为0.8-3.2T,液压机的冲头下行速度为30-50mm/s，进行密封冲压；

S7，密封冲压2-4小时后，连接电路线路，接上正极和负极，同时可以将多个进行串联或并联，形成太阳能电池组；

S8，电池启动充电，充电之后检查电流和温度，保证游离电子从正极运动至负极，完成电池生产。

2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池组的制作方法，其特征在于，步骤S1中，所述晶体硅还可以替换成非晶硅、砷化镓或硒铟铜。

3.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池组的制作方法，其特征在于，步骤S1中，所述晶体硅是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，所述硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。

4.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池组的制作方法，其特征在于，步骤S5中，所述钢化玻璃的透光率大于91％，所述钢化玻璃设为经过超白钢化处理。

5.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池组的制作方法，其特征在于，步骤S1中，所述晶体硅的制作选择以SiH₂Cl₂、SiHCl3、SiCl₄或SiH₄,为反应气体,在氩气的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，所述衬底材料选用Si、SiO₂或Si₃N₄。

6.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池组的制作方法，其特征在于，步骤S5中，所述氮化硅膜工艺操作条件为：控制氨气NH₃和硅烷气体SiH₄的流量比为1:0.5，沉积温度250-450℃，时间为10-15min，然后进行静置1-2h，用95％的乙醇液体进行擦拭清洗，完成加工。