[发明专利]测试光掩模组件的方法

说明书

一种测试光掩模组件(photomask assembly)的方法。所述方法包括将光掩模组件放置到腔室中。所述光掩模组件包括贴合到光掩模的第一侧的护膜(pellicle)。所述方法还包括将所述光掩模组件在所述腔室中暴露于辐射源(radiation source)。所述光掩模组件的暴露包括在整个照射时间内照射所述光掩模被所述护膜覆盖的全部区域。

技术领域

本发明实施例涉及一种测试光掩模组件的方法。更具体来说，本发明实施例涉及一种将光掩模组件暴露于辐射源的测试光掩模组件的方法。

背景技术

在半导体技术中，掩模(光掩模(photomask)或掩模版(reticle))包括预先设计的集成电路(integrated circuit，IC)图案。掩模用于利用光刻工艺(photolithographyprocess)将预先设计的IC图案转移到晶片(wafer)上。掩模上的任何缺陷也将被转移到晶片。

掩模缺陷的一个来源是可能在掩模制作工艺、处理工艺、或光刻工艺期间引入的掩模雾缺陷(mask haze)。雾缺陷是因掩模材料及护膜材料的放气(outgassing)以及掩模制作溶液及/或掩模清洁溶液的化学残留物而形成的生长缺陷。雾缺陷可能变更掩模的透射性质，从而在晶片上造成印刷错误。

发明内容

一种测试光掩模组件的方法。所述方法包括将光掩模组件放置到腔室中。所述光掩模组件包括贴合到光掩模的第一侧的护膜。所述方法还包括将所述光掩模组件在所述腔室中暴露于辐射源。所述光掩模组件的暴露包括在整个照射时间内照射所述光掩模被所述护膜覆盖的全部区域。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是根据一些实施例的光掩模组件的俯视图。

图1B是根据一些实施例的图1A所示的光掩模组件沿线A-A’截取的剖视图。

图2是根据一些实施例的用于使雾缺陷形成加速的腔室的剖视图。

图3A及图3B是根据一些实施例对光掩模组件进行用于形成雾缺陷的暴露工艺(exposure process)的剖视图。

图4A是根据一些实施例的光掩模组件的俯视图。

图4B是根据一些实施例的图4A所示的光掩模组件沿线A-A’截取的剖视图。

图5A是根据一些实施例的光掩模组件的俯视图。

图5B是根据一些实施例的图5A所示的光掩模组件沿线A-A’截取的剖视图。

图6是根据一些实施例的制作光掩模组件的方法的流程图。

图7至图12是根据一些实施例的光掩模组件在各种制作阶段的剖视图。

附图标号说明

100、400、500：光掩模组件

110、410、510、710A、710B：光掩模

112a、112b、112c、112d、412、512：区

114、414、514：前侧

116、416、516：后侧

122、422、522、722：衬底

124、424、524、724：第一图案化层

125A、425A、525A、725A：图案区

125B、425B、525B、725B：边界区