[发明专利]一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮及其制备方法有效
申请号: | 201810388011.X | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108581857B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 赵延军;惠珍;曹剑锋 | 申请(专利权)人: | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
主分类号: | B24D3/02 | 分类号: | B24D3/02;B24D3/34;B24D18/00;C04B26/12;C04B111/40 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 时立新 |
地址: | 450001 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 砷化镓晶片 抛光砂轮 超细 抛光 制备 半导体材料 金刚石 二氧化硅 酚醛树脂 晶片表面 磨削性能 生产效率 良品率 偶联剂 气孔率 损伤层 氧化铈 造孔剂 磨削 应用 | ||
1.一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮,其特征在于,所述砂轮用于砷化镓晶片的抛光,砂轮由以下体积份数的原料制成:金刚石15~25份、偶联剂2~6份、造孔剂2.5~5.5份、二氧化硅15~25份、氧化铈5~10份、酚醛树脂15~22份;
所述偶联剂为3-缩水甘油基丙基三甲氧基硅烷;
所述造孔剂为可膨胀微球;
所述金刚石的粒径不大于0.5 μm;所述二氧化硅为实心二氧化硅,粒径为1.0~2.5 μm;所述氧化铈的粒径为3.0~5.5 μm;
所述砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮的制备方法,包括以下步骤:
(1)将酚醛树脂研磨成粉状,按体积份数量取各原料,并将所有粉状的原料分别过筛,备用;
(2)将金刚石先经过热碱处理,再充分分散于丙酮中除杂、避免团聚,然后烘干;再加入氧化铈及二氧化硅,混合、过筛,得到混合粉料;
(3)向步骤(2)所得混合粉料中加入偶联剂,混合均匀,再加入丙酮作为分散介质,搅拌超声20~50分钟后,烘干;
(4)将粉状的酚醛树脂与步骤(3)所得产物过筛并球磨混料,再加入造孔剂,混匀、过筛,得到待压料,待压料的粒径小于80 μm;
(5)将步骤(4)所得待压料压制成型,得到坯料;按照形状需要对坯料进行机加工,即得;
步骤(5)所述压制成型控制为:先于压力0.8~1.2 MPa、温度180~200℃的条件下恒温恒压保持1~3分钟,再保持温度不变,加压至4.8~5.2 MPa,恒温恒压保持60~80分钟,脱模;
所述造孔剂在使用前先于60~100℃烘0.2~0.8小时。
2.根据权利要求1所述砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮,其特征在于:步骤(2)中所述热碱处理是将金刚石浸没于80~90℃的碱液中,搅拌100~150分钟,然后固液分离,取固体洗涤、干燥。
3.根据权利要求2所述砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮,其特征在于:所述碱液是质量分数为10%~40%的氢氧化钠溶液。
4.根据权利要求1所述砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮,其特征在于:步骤(5)加压成型时 ,当加压至4.8-5.2MPa前进行放气操作。
5.权利要求1~4任一所述超细抛光砂轮在砷化镓晶片抛光上的应用。
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