[发明专利]E-FUSE存储阵列、E-FUSE以及E-FUSE操作方法

权利要求书

1.一种E-FUSE存储阵列，其特征在于，包括：

按照行方向排列的N条字线、按照行方向排列的N条编程信号线、按照列方向排列的N条位线、按照列方向排列的N条源线以及N行*N列成矩阵排列的存储单元，所述存储单元包括栅极、漏极以及源极，N为正整数；其中，所述存储单元为PMOS型等效编程二极管电路，所述PMOS型等效编程二极管电路包括PMOS结构和基于PMOS结构的等效编程二极管；

位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线，位于同一行的存储单元的N阱连接至同一编程信号线，位于同一列的每个存储单元的漏极分别通过熔丝电阻连接至同一源线，位于同一列的存储单元的源极连接至同一位线。

2.根据权利要求1的E-FUSE存储阵列，其特征在于，

所述PMOS结构包括：

衬底，所述衬底为P-型掺杂衬底；

N阱，所述N阱设置于所述衬底中；

第一扩散区，第一扩散区为N+型扩散区，第一扩散区设置于N阱中并位于衬底表面，第一扩散区连接位于衬底表面的编程信号线；

第二扩散区，第二扩散区为P+型扩散区，第二扩散区设置于N阱中并位于衬底表面，第二扩散区连接位于衬底表面的位线；

第三扩散区，第三扩散区为P+型扩散区，第三扩散区设置于N阱中并位于衬底表面，第三扩散区连接位于衬底表面的节点线，节点线对应与存储单元的漏极连接的节点端；

浮栅，浮栅设置于第二扩散区和第三扩散区之间的衬底上方，浮栅连接字线。

3.一种E-FUSE，其特征在于，包括行地址译码电路、列地址译码电路以及权利要求1至2任意一项所述的E-FUSE存储阵列。

4.一种E-FUSE操作方法，其特征在于，基于权利要求3所述的E-FUSE，包括编程操作方法和读操作方法。

5.根据权利要求4的E-FUSE操作方法，其特征在于，所述编程操作方法包括：

等效编程二极管为对单位存储区域中待编程存储单元进行编程操作时，编程电压产生的编程电流由源线流经熔丝电阻，然后由PMOS结构的第二扩散区的源极端流经PMOS结构的N阱寄生形成的等效二极管；

编程电流由等效编程二极管流经控制信号端。

6.根据权利要求4的E-FUSE操作方法，其特征在于，所述编程操作方法包括：

对单位存储区域中待编程存储单元进行编程操作时，施加至待编程存储单元连接的字线的电平为高电平；

施加至待编程存储单元连接的编程信号线的电平为低电平，施加至单位存储区域中除待编程存储单元以外的所有存储单元连接的编程信号线的电位为高电位；

编程操作为选中列编程写入“1”，则施加至待编程存储单元连接的源线的电位为高电位，编程操作为选中列编程写入“0”，则施加至待编程存储单元连接的源线的电位为低电位，施加至单位存储区域中除待编程存储单元以外的所有存储单元连接的源线的电位为0。

7.根据权利要求6的E-FUSE操作方法，其特征在于，所述编程操作方法包括：

对单位存储区域中待编程存储单元进行编程操作时，通过热断裂操作或电迁移操作实现对熔丝电阻的编程；

熔丝电阻在编程操作前为低阻抗状态，在编程操作后为高阻抗状态。

8.根据权利要求4的E-FUSE操作方法，其特征在于，所述读操作方法包括：

对单位存储区域中待读存储单元进行读操作时，施加至待读存储单元连接的字线的电平为低电平；

施加至待读存储单元连接的编程信号线的电平为高电平；

施加至待读存储单元连接的源线的电平为低电平。

9.根据权利要求8的E-FUSE操作方法，其特征在于，所述读操作方法包括：

对单位存储区域中待读存储单元进行读操作时，经过编程操作的待读存储单元的与位线连接的读取端点为高阻抗状态，未经过编程操作的待读存储单元的与位线连接的读取端点为低阻抗状态。