[发明专利]基于二维压电材料薄膜的声表面波器件

权利要求书

1.一种基于二维压电材料薄膜的声表面波器件，包括：

基底；

二维压电薄膜，位于基底之上；以及

电极层，位于二维压电薄膜之上，包括：叉指换能器及其匹配电路；

其中，二维压电薄膜的材料为具有压电性的二维材料，该二维压电薄膜的压电极化方向平行于该二维压电薄膜所在平面的方向。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其中：

所述二维压电薄膜的层数为单层或者多层，厚度介于0.1nm～1μm之间；和/或

所述二维压电薄膜的材料包括如下材料中的一种：二硫化钼、二硒化钨、二碲化钼。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其中，所述基底的材料为如下材料中的一种：

高声速基底材料，包括：蓝宝石、金刚石、类金刚石、碳化硅；

常用基底材料，包括：硅片、氧化硅片；

透明基底材料；

柔性基底材料；以及

柔性透明的基底材料。

4.根据权利要求1至3任一项所述的声表面波器件，其中：

所述叉指换能器及其匹配电路的结构为如下电极结构中的一种：延迟线结构、交错对插换能器结构、纵向耦合双模谐振滤波器结构、以及梯形结构；和/或

所述电极层的材料为导电材料，包括如下材料中的一种：金属、合金、金属氧化物、氧化铟锡、掺铝氧化锌、石墨烯、以及碳纳米管。

5.根据权利要求1至4任一项所述的声表面波器件，其中，所述声表面波器件为声表面波滤波器、声表面波谐振器、声表面波延迟线、声表面波卷积器或声表面波传感器。

6.一种基于二维压电材料薄膜的声表面波器件，包括：

基底；

电极层，位于基底之上，包括：叉指换能器及其匹配电路；以及

二维压电薄膜，位于电极层之上；

其中，二维压电薄膜的材料为具有压电性的二维材料，该二维压电薄膜的压电极化方向平行于二维压电薄膜所在平面的方向。

7.根据权利要求6所述的声表面波器件，其中：

所述二维压电薄膜的层数为单层或者多层，厚度介于0.1nm～1μm之间；和/或

所述二维压电薄膜的材料包括如下材料中的一种：二硫化钼、二硒化钨、二碲化钼。

8.根据权利要求6或7所述的声表面波器件，其中，所述基底的材料为如下材料中的一种：

高声速基底材料，包括：蓝宝石、金刚石、类金刚石、碳化硅；

常用基底材料，包括：硅片、氧化硅片；

透明基底材料；

柔性基底材料；以及

柔性透明的基底材料。

9.根据权利要求6至8任一项所述的声表面波器件，其中：

所述叉指换能器及其匹配电路的结构为如下电极结构中的一种：延迟线结构、交错对插换能器结构、纵向耦合双模谐振滤波器结构、以及梯形结构；和/或

所述电极层的材料为导电材料，包括如下材料中的一种：金属、合金、金属氧化物、氧化铟锡、掺铝氧化锌、石墨烯、以及碳纳米管。

10.根据权利要求6至9任一项所述的声表面波器件，其中，所述声表面波器件为声表面波滤波器、声表面波谐振器、声表面波延迟线、声表面波卷积器或声表面波传感器。