[发明专利]一种低相位误差衰减器在审
| 申请号： | 201810389483.7 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108599735A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘超 | 申请（专利权）人： | 成都聚利中宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H17/00 | 分类号： | H03H17/00 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610213 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衰减模块 低通 相移补偿 衰减器 衰减状态 低相位 参考状态 独立控制 网络 输出端 输入端 相位差 寄生 深阱 串联 隔离 | ||
1.一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述衰减器的输入端和输出端之间串联有多个独立控制的衰减模块，所述每个衰减模块均设置有低通相移补偿网络，所述低通相移补偿网络用于使所在衰减模块在衰减状态时具有低通特性，所述每相邻两个衰减模块之间均设置有深阱隔离。
2.根据权利要求1所述的一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述衰减模块的数量为六个，从所述衰减器的输入端起依次为2dB衰减模块、1dB衰减模块、16dB衰减模块、0.5dB衰减模块、4dB衰减模块和8dB衰减模块，所述2dB衰减模块的输入端作为所述衰减器的输入端，所述8dB衰减模块的输出端作为所述衰减器的输出端。
3.根据权利要求2所述的一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述16dB衰减模块和8dB衰减模块均为π型衰减器。
4.根据权利要求3所述的一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述π型衰减器的电路包括：
第一低通相移补偿网络：包括依次串联的第一电阻(R1)、第一电感(L1)和第二电阻(R2)，第一电阻(R1)相对连接第一电感(L1)的另一端作为第一低通相移补偿网络的输入端，第二电阻(R2)相对连接第一电感(L1)的另一端为第一低通相移补偿网络的输出端；
第一MOS管(T1)：源极和漏极分别与第一低通相移补偿网络的输入端和输出端连接，栅极通过第三电阻(R3)与第一控制电源连接；
第二MOS管(T2)：源极接地，漏极通过第四电阻(R4)与第一低通相移补偿网络的输入端连接，栅极通过第五电阻(R5)与第二控制电源连接；
第三MOS管(T3)：源极接地，漏极通过第七电阻(R7)与第一低通相移补偿网络的输出端连接，栅极通过第六电阻(R6)与第二控制电源连接；
所述第一低通相移补偿网络的输入端和输出端还分别作为所述π型衰减器电路的输入端和输出端，所述第一控制电源和第二控制电源为互补数字信号控制电源。
5.根据权利要求2所述的一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述2dB衰减模块、1dB衰减模块、0.5dB衰减模块和4dB衰减模块均为T型衰减器。
6.根据权利要求5所述的一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述T型衰减器的电路包括：
第二低通相移补偿网络：包括依次串联的第八电阻(R8)、第三电感(L3)和第九电阻(R9)，第八电阻(R8)通过第二电感(L2)与所述T型衰减器电路的输入端连接，第九电阻(R9)通过第四电感(L4)与所述T型衰减器电路的输出端连接；
第四MOS管(T4)：源极与第八电阻(R8)相对连接第三电感(L3)的另一端连接，漏极与第九电阻(R9)相对连接第三电感(L3)的另一端连接，栅极通过第十电阻(R10)与第三控制电源连接；
第五MOS管(T5)：源极接地，漏极通过第十一电阻(R11)与第八电阻(R8)相对连接第二电感(L2)的另一端连接，栅极通过第十二电阻(R12)与第四控制电源连接；
所述第三控制电源和第四控制电源为互补数字信号控制电源。
7.根据权利要求1—6任意一项所述的一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述2dB衰减模块、1dB衰减模块、16dB衰减模块、0.5dB衰减模块、4dB衰减模块和8dB衰减模块均为Ku波段衰减器。
8.根据权利要求7所述的一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述2dB衰减模块、1dB衰减模块、16dB衰减模块、0.5dB衰减模块、4dB衰减模块和8dB衰减模块的工作频率为12GHz—20GHz。
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