[发明专利]顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积并图案化形成遮光层(15)，在所述基板(10)及遮光层(15)上依次沉积形成缓冲层(20)、非晶硅层(30)、绝缘层(40)及栅极金属层(50)；

步骤S2、在所述栅极金属层(50)上涂覆一层光阻材料，对该层光阻材料进行曝光显影，得到光阻层(60)；采用第一道蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)、绝缘层(40)及非晶硅层(30)上未被光阻层(60)覆盖的部分，由所述非晶硅层(30)得到非晶硅有源层(35)；

步骤S3、对光阻层(60)进行灰化处理，使得光阻层(60)的宽度减小，采用第二道蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)与绝缘层(40)上未被光阻层(60)覆盖的部分，形成栅极(55)与栅极绝缘层(45)，并露出所述非晶硅有源层(35)的两端；

步骤S4、以所述光阻层(60)、栅极(55)及栅极绝缘层(45)为遮蔽层，对所述非晶硅有源层(35)进行离子植入，形成位于非晶硅有源层(35)两端的源漏极掺杂区(31)以及位于中间的沟道区(32)；

步骤S5、将剩余的光阻层(60)剥离去除，在所述栅极(55)、非晶硅有源层(35)及缓冲层(20)上沉积层间介电层(70)，对该层间介电层(70)进行图案化处理，在所述层间介电层(70)上形成对应于所述源漏极掺杂区(31)上方的过孔(71)；

步骤S6、在所述层间介电层(70)上沉积并图案化形成源漏极(85)，所述源漏极(85)通过所述过孔(71)与所述非晶硅有源层(35)的源漏极掺杂区(31)相接触；

所述步骤S1中所沉积形成的栅极金属层(50)为钼层；

所述步骤S2中，通过干法蚀刻去除所述栅极金属层(50)、绝缘层(40)及非晶硅层(30)上未被光阻层(60)覆盖的部分，该干法蚀刻过程中，先通过第一种蚀刻气体对栅极金属层(50)进行初步蚀刻，接着通过第二种蚀刻气体对栅极金属层(50)、绝缘层(40)及非晶硅层(30)进行蚀刻，其中，第一种蚀刻气体包含六氟化硫及氧气，第二种蚀刻气体包含氯气及氧气；

所述步骤S3中，通过干法蚀刻去除所述栅极金属层(50)及绝缘层(40)未被光阻层(60)覆盖的部分，该干法蚀刻过程中，先通过第一种蚀刻气体对栅极金属层(50)进行初步蚀刻，接着通过第二种蚀刻气体对栅极金属层(50)、绝缘层(40)及非晶硅层(30)进行蚀刻，其中，第一种蚀刻气体包含六氟化硫及氧气，第二种蚀刻气体包含氯气及氧气。

2.如权利要求1所述的顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中对非晶硅有源层(35)植入的离子为N型离子。

3.如权利要求2所述的顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中对非晶硅有源层(35)植入的离子为磷离子。

4.如权利要求1所述的顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中通过氧气对光阻层(60)进行灰化处理。

5.如权利要求1所述的顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用化学气象沉积法沉积形成所述非晶硅层(30)。

6.如权利要求1所述的顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用一半透光罩对光阻材料进行曝光显影，得到呈“凸”字形的光阻层(60)，该光阻层(60)包括位于中间的第一光阻段(61)与位于第一光阻段(61)两侧的第二光阻段(62)，所述第一光阻段(61)的厚度大于第二光阻段(62)的厚度；

所述步骤S3中，通过对光阻层(60)进行灰化处理，使得第一光阻段(61)减薄且第二光阻段(62)消除，从而使得光阻层(60)的宽度减小。

7.如权利要求6所述的顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中所采用的半透光罩为灰阶光罩或半色调光罩。