[发明专利]电子负载MOS管驱动器保护电路

说明书

本发明公开了一种电子负载MOS管驱动器保护电路，属于驱动保护技术领域。所述驱动器保护电路包括：MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1；其中：所述瞬态抑制二极管D1的一端与所述MOS管驱动器和所述第一保险管F1的一端分别连接；所述第一保险管F1的另一端与所述MOS管的第一端相连；所述MOS管的第二端用于与被测电源连接，所述MOS管的第三端与所述第二保险管F2的一端连接，所述第二保险管F2的另一端通过所述采样电阻R1接地。有效防止了对整个电子负载装置内部电路的破坏。

技术领域

本发明涉及驱动保护领域，特别涉及一种电子负载MOS管驱动器保护电路。

背景技术

电子负载作为一种常用的电力电子测试仪器，在电源测试领域得到了广泛的应用。能耗型电子负载的功率消耗都是通过一个或多个MOS管功耗电路并联实现的。随着被测电源功率的增大，电子负载的功率也越来越大，电子负载装置的损坏通常是由于功率MOS管短路导致的电子负载装置正、负极间短路而无法使用亦或是功率MOS管的损毁导致的整个驱动电路甚至整个电子负载装置的损坏。

发明内容

为了解决现有技术中由于功率MOS管的问题而导致的整个电子负载装置的损坏的问题，本发明实施例提供了一种电子负载MOS管驱动器保护电路。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种电子负载MOS管驱动器保护电路，所述驱动器保护电路包括：所述驱动器保护电路包括：MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1；其中：

所述瞬态抑制二极管D1的一端与所述MOS管驱动器和所述第一保险管F1的一端分别连接；

所述第一保险管F1的另一端与所述MOS管的第一端相连；所述MOS管的第二端用于与被测电源连接，所述MOS管的第三端与所述第二保险管F2的一端连接，所述第二保险管F2的另一端通过所述采样电阻R1接地。

可选地，所述MOS管为NMOS，所述NMOS的栅极与所述第一保险管F1的另一端连接，所述NMOS的漏极用于与所述被测电源连接，所述NMOS的源极与所述第二保险管F2的另一端连接。

可选地，所述MOS管为PMOS，所述PMOS的栅极与所述第一保险管F1的另一端连接，所述PMOS的源极用于与所述被测电源连接，所述PMOS的漏极与所述第二保险管F2的另一端连接。

可选地，所述瞬态抑制二极管D1的正向端与所述MOS管驱动器连接，所述瞬态抑制二极管D1的反向端接地。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过设置包括MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1的驱动保护电路，使得在发生异常时，可以将损坏的MOS管与整个测试系统隔离，并将危险电压与驱动电路隔离，有效防止了对整个电子负载装置内部电路的破坏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一示例性实施例示出的一种电子负载MOS管驱动器保护电路的电路图；

图2是本发明一个实施例提供的电子负载MOS管驱动器保护电路的电路图。

具体实施方式