[发明专利]一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法有效
| 申请号： | 201810390559.8 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108611684B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘碧录;任洁 | 申请（专利权）人： | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 |
| 主分类号： | C30B29/64 | 分类号： | C30B29/64;C30B29/46;C30B33/00 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减薄 过渡金属硫族化合物 二维原子 晶体的 可控 金属硫族化合物 氯金酸溶液 材料原子 层状材料 水中浸泡 样品表面 可控性 氯金酸 薄层 去除 无损 制备 浸泡 取出 残留 | ||
1.一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法，其特征在于，所述减薄方法为：
使用胶带对层状材料进行反复粘贴，将粘贴在胶带上的样品转移到表面镀有氧化层的硅片上，将带有样品的硅片浸泡在温度为20～80℃、浓度为0.01～50mmol/L的氯金酸溶液中1～60min后，再将所述硅片浸泡在水中一定时间，去除硅片表面的残留水分进而得到所述减薄后的二元原子晶体；
所述层状材料为MX2，所述M包括Mo、W、Ta或Nb中的任意一种或其混合物，所述X包括S、Se或Te中的任意一种或其混合物。
2.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述胶带对层状材料进行反复粘贴的次数为1～100次。
3.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述硅片的表氧化层厚度为10-1000纳米。
4.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述氯金酸溶液的浓度为为1-5mmol/L。
5.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述硅片浸泡在水中的时间为1～60min。
6.根据权利要求1-5任一项所述的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法为：
使用胶带对块体层状MX2材料进行反复粘贴1～100次，其中M为过渡金属中的任意一种，X为硫族元素中的任意一种，将粘贴在胶带上的样品转移到表面镀有氧化层的硅片上，将带有样品的硅片20～80℃下浸泡在0.01～50mmol/L的氯金酸溶液中1～60min，再将所述硅片浸泡在水中1～60min，去除硅片表面的残留水分得到所述减薄后的二维原子晶体。
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