[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，对基板的上表面进行处理，该基板处理装置包括：

旋转台，能够绕铅垂轴旋转；

旋转驱动单元，使所述旋转台旋转；

支撑单元，立设于所述旋转台，以与基板的周边缘部抵接，来使基板的下表面从所述旋转台的上表面分离的方式支撑基板；

处理单元，作用于由所述支撑单元支撑的基板的上表面进行处理；

处理液供给单元，向基板的下表面供给处理液；

气体喷嘴，从所述旋转台的中央向所述基板的下表面供给气体；

气体供给管，一端侧与所述气体喷嘴连通连接；

气体供给单元，供给气体；

第一分支配管，一端侧与所述气体供给单元连通连接，另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接；

第二分支配管，一端侧与所述气体供给单元连通连接，另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接；

第一控制阀，将所述第一分支配管中的气体的流通控制为第一流量；

第二控制阀，将所述第二分支配管中的气体的流通控制为第二流量，所述第二流量是大于等于所述第一流量的流量；以及

控制单元，在利用所述处理单元对基板的上表面进行处理的上表面处理时，所述控制单元一边操作所述旋转驱动单元，使基板以第一转速旋转，一边从所述处理液供给单元供给处理液，并操作所述第一控制阀从所述气体喷嘴以第一流量供给气体，在所述上表面处理结束后，所述控制单元在使所述旋转驱动单元的转速上升来使基板以第二转速旋转，来对基板进行干燥的干燥处理时，操作所述第一控制阀和所述第二控制阀，来从所述气体喷嘴以大于所述第一流量的流量供给气体，

所述控制单元使所述第一控制阀始终开启。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

能够将所述第一控制阀和第二控制阀调整为期望的流量。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在操作所述第一控制阀和所述第二控制阀时，在使所述第一控制阀开启的状态下开启所述第二控制阀。

4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在操作所述第一控制阀和所述第二控制阀时，在使所述第一控制阀开启的状态下开启所述第二控制阀。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。

6.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。

7.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。

8.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。

9.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述气体喷嘴以俯视呈放射状的方式向基板的周边缘部供给气体。

10.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述气体喷嘴以俯视呈放射状的方式向基板的周边缘部供给气体。

11.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述气体喷嘴的供给气体的开口高度为2mm以上。

12.一种基板处理方法，在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，对基板的上表面进行处理，该基板处理方法包括按如下顺序实施的步骤：

上表面处理工序，在对基板的周边缘部进行抵接支撑，来使基板的下表面从旋转台分离的状态下，使所述旋转台以第一转速旋转，并在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，操作第一控制阀，从所述旋转台的中央的气体喷嘴向基板的下表面以第一流量供给气体，同时对基板的上表面进行处理；以及

干燥处理工序，使所述旋转台以大于所述第一转速的第二速度旋转，并操作第一控制阀和第二控制阀，来从气体喷嘴以大于所述第一流量的流量供给气体，

所述第一控制阀始终开启。