[发明专利]一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料及其制备方法

权利要求书

1.一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其特征在于，其组分表达式为Ce_xSb_y，其中x，y为原子百分比，0<x≤0.10,0.90<y≤1,x+y＝1.00。

2.如权利要求1所述的镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其特征在于，0.006≤x≤0.024。

3.如权利要求1所述的镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其特征在于，0.994≤y≤0.976。

4.如权利要求1所述的镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其特征在于，所述的相变材料为相变薄膜材料。

5.如权利要求1所述的镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其特征在于，所述的相变材料为在外部电脉冲或激光脉冲作用下具有可逆相变的材料。

6.一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、清洗SiO₂/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；

a)在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；

b)在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N₂吹干表面和背面；

c)在120℃烘箱内烘干水汽；

2)、采用磁控溅射方法制备Ce_xSb_y纳米薄膜前准备：

a)装好Sb溅射靶材，将纯铈片直接放置于Sb靶表面，靶材的纯度均达到99.999％(原子百分比)，并将本底真空抽至1×10^-4Pa；

b)设定溅射功率为30W；

c)使用高纯Ar作为溅射气体(体积百分比达到99.999％)，设定Ar气流量为30SCCM，并将溅射气压调节至0.3Pa。

3)、采用单靶磁控溅射方法制备相变薄膜薄膜：

a)将空基托旋转到需要溅射靶位，打开靶上所施加的射频电源，依照设定的溅射时间，开始进行溅射，清洁靶材表面；

b)靶材表面清洁完成后，关闭靶上所施加的直流电源，将代溅射基片旋转到靶位，开启靶位电源，依照设定的溅射时间，开始溅射薄膜。