[发明专利]射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备

权利要求书

1.一种射频阻抗匹配的方法，射频包括多个脉冲周期，各所述脉冲周期包括多个脉冲阶段，其特征在于，所述方法包括：

步骤S110、扫频匹配阶段；

步骤S120、扫频保持阶段；其中；

所述步骤S110包括循环执行至少一次下述步骤：

步骤S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；

步骤S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的所述扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，执行步骤S120，不匹配时，执行步骤S113；

步骤S113、下一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频；

所述步骤S120包括：

步骤S121、后续脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源停止扫频，并且，该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数相同，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配；

所述步骤S112的步骤包括：

获取当前脉冲周期的预定的脉冲阶段结束时，射频电源的反射功率；

判断所述反射功率是否与预定的反射功率相匹配，当匹配时，即判定所述扫频结束参数与目标扫频参数匹配。

2.根据权利要求1所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，所述预定的脉冲阶段的数量为两个，分别为第一脉冲阶段和第二脉冲阶段。

3.根据权利要求1所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段相一致的扫频匹配阶段的步骤；或，

其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段不一致的扫频匹配阶段的步骤。

4.根据权利要求3所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，其余各脉冲阶段通过调整匹配器电容，使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，所述方法还包括在步骤S120之后进行的：

步骤S130、扫频微调阶段；其中，

所述步骤S130包括：

步骤S131、获取后续脉冲周期中任意一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的射频电源的射频参数；

步骤S132、判断该任意一个脉冲周期的射频参数是否与目标扫频参数匹配，当不匹配时，射频电源重新扫频并依次执行所述步骤S110和所述步骤S120。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，所述扫频结束参数包括：

扫频频率、扫频范围、扫频速度、扫频精度和增益中的至少一者。

7.一种射频阻抗匹配的装置，其特征在于，应用于权利要求1至6中任意一项所述的射频阻抗匹配的方法。

8.根据权利要求7所述的射频阻抗匹配的装置，其特征在于，包括获取模块、判断模块和控制模块；

所述获取模块，用于获取当前脉冲周期在各预定的所述脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；

所述判断模块，用于分别判断当前脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的所述扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，向所述控制模块发送匹配信号，不匹配时，向所述控制模块发送不匹配信号；

所述控制模块用于：

在接收到所述匹配信号时，控制射频电源停止扫频，并且，控制该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数相同，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配；

在接收到所述不匹配信号时，在下一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，控制射频电源根据前一个脉冲周期各预定的所述脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频。

9.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求7或8所述的射频阻抗匹配的装置。