[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810393464.1 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807659A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 小川洋平;飞冈孝明 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体基板 半导体装置 霍尔元件 导电型 半导体层 方式设置 分离设置 浓度分布 特性偏差 固定的 耗尽层 包围 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，具有：
第一导电型的半导体基板；以及
在所述半导体基板上设置的霍尔元件，
所述半导体装置的特征在于，
所述霍尔元件具备：
在所述半导体基板上与所述半导体基板分离设置的第二导电型的磁感受部；以及
在所述半导体基板上以包围所述磁感受部的侧面和底面的方式设置而比所述磁感受部低浓度且浓度分布固定的第二导电型的半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述磁感受部的下部还具备在所述半导体基板与所述半导体层之间设置且比所述半导体基板高浓度的第一导电型的埋入层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述磁感受部的下部还具备在所述半导体基板与所述半导体层之间设置且比所述半导体层高浓度的第二导电型的埋入层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述磁感受部的下部还具备在所述半导体基板与所述半导体层之间设置的埋入层，
所述埋入层包含：
设置在所述半导体基板侧且比所述半导体基板高浓度的第一导电型的第一埋入层；以及
以与所述第一埋入层的上表面相接的方式设置在所述半导体层侧且比所述半导体层高浓度的第二导电型的第二埋入层。
5.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层为外延层。
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