[发明专利]一种内存盘及内存盘的制作方法在审
| 申请号： | 201810394037.5 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108564975A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 翟西斌;崔铭航;李晓 | 申请（专利权）人： | 济南浪潮高新科技投资发展有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 李世喆 |
| 地址： | 250100 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内存颗粒 内存缓冲 芯片功能 电源电路 电路 内存盘 印制电路板PCB 电路设置 接触不良 单通道 双通道 焊接 稳固 供电 制作 | ||
1.一种内存盘，其特征在于，包括：印制电路板PCB、电源电路、内存缓冲芯片功能电路和至少一个内存颗粒；
所述电源电路、所述内存缓冲芯片功能电路设置于所述PCB上；
所述至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；
所述电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒相连，所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒相连；
所述电源电路，用于为所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒进行供电；
所述内存缓冲芯片功能电路，用于控制所述至少一个内存颗粒，其中，所述至少一个内存颗粒组成单通道或双通道。
2.根据权利要求1所述的内存盘，其特征在于，进一步包括：针孔式高速连接器；
所述针孔式高速连接器设置于所述PCB上；
所述针孔式高速连接器分别与所述内存缓冲芯片功能电路、外部的主板相连。
3.根据权利要求1所述的内存盘，其特征在于，
所述PCB上设置有至少一个第一通道焊接位、至少一个第二通道焊接位；
当每一个所述内存颗粒均通过相应的所述第一通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成单通道；
当每一个所述内存颗粒均通过相应的所述第二通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成单通道；
当所述至少一个内存颗粒中至少一个第一内存颗粒通过相应的所述第一通道焊接位焊接在所述PCB上、至少一个第二内存颗粒通过相应的所述第二通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成双通道。
4.根据权利要求1-3中任一所述的内存盘，其特征在于，
所述内存颗粒的规格包括：DDR3，或，DDR4。
5.一种内存盘的制作方法，其特征在于，包括：
在印制电路板PCB上设置电源电路、内存缓冲芯片功能电路；
将至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；
将电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒连接；
将所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒连接。
6.根据权利要求5所述的内存盘的制作方法，其特征在于，进一步包括：
在所述PCB上设置针孔式高速连接器；
将所述针孔式高速连接器分别与所述内存缓冲芯片功能电路、外部的主板连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南浪潮高新科技投资发展有限公司，未经济南浪潮高新科技投资发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810394037.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种远距离传输移动硬盘
- 下一篇：半导体存储器功能模块的控制电路
