[发明专利]用于在表面上沉积导电覆层的方法有效
申请号: | 201810394106.2 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN108611591B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 迈克尔·赫兰德;邱杰克;王志斌;卢征鸿 | 申请(专利权)人: | OTI领英有限公司 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/20;C23C14/24;H01L31/0236;H01L31/18;H01L51/00;H01L51/44;H01L51/52;H01L51/56;C09D5/24 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 潘璐;刘继富 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 表面上 沉积 导电 覆层 方法 | ||
1.一种用于在表面上选择性沉积导电覆层的方法,所述导电覆层对所述表面具有低黏附系数,所述方法包括:
-在表面的一部分上沉积富勒烯,由此产生所述表面的经富勒烯处理区域和未经处理区域,其中在所述经富勒烯处理区域中,所述富勒烯作为用于导电覆层沉积在其上的成核位点;和
-引导蒸发的导电覆层材料以使所述表面的经富勒烯处理区域和未经处理区域暴露于所述蒸发的导电覆层材料,以选择性地将导电覆层沉积在所述表面的经富勒烯处理区域上,所述导电覆层包含镁。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述表面是有机表面。
3.根据权利要求1所述的方法,其中使用荫罩以抑制富勒烯沉积在所述表面的未经处理区域上。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述荫罩包括允许富勒烯沉积在对应于经富勒烯处理区域的所述表面的一部分上的孔。
5.根据权利要求1所述的方法,其中通过接触印刷、微接触印刷、平版印刷、或光刻法将富勒烯沉积在所述表面的一部分上。
6.根据权利要求1所述的方法,其中富勒烯包含C60、C70、C76、C84、单壁碳纳米管和多壁碳纳米管中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述导电覆层包含纯的镁。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述表面由衬底提供。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述衬底包含半导体材料。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述衬底包括电子注入层、电子传输层、和电致发光层、空穴传输层、空穴注入层和/或阳极。
11.根据权利要求1所述的方法,其中通过卷对卷印刷将富勒烯沉积在所述表面的一部分上。
12.一种用于制造有机光电装置的方法,所述方法包括:
-提供阳极;
-在阳极上提供有机半导体层以形成有机表面,其中其上的导电覆层对所述有机表面具有低黏附系数;
-在所述有机表面的一部分上沉积富勒烯,由此产生所述有机表面的经富勒烯处理区域和未经处理区域,其中在所述经富勒烯处理区域中,所述富勒烯作为用于导电覆层沉积的成核位点;和
-引导蒸发的导电覆层材料以使所述表面的经富勒烯处理区域和未经处理区域暴露于所述蒸发的导电覆层材料,以选择性地将导电覆层沉积在所述有机表面的经富勒烯处理区域上,所述导电覆层包含镁。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述导电覆层形成阴极。
14.根据权利要求12所述的方法,其中通过荫罩工艺、接触印刷、微接触印刷、平版印刷、或光刻法将富勒烯沉积在表面的一部分上。
15.根据权利要求12所述的方法,其中富勒烯包含C60、C70、C76、C84、单壁碳纳米管和多壁碳纳米管中的至少一种。
16.根据权利要求12所述的方法,其中所述导电覆层包含纯的镁。
17.根据权利要求12所述的方法,其中通过卷对卷印刷将富勒烯沉积在表面的一部分上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于OTI领英有限公司,未经OTI领英有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810394106.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种Ti合金工件防咬死的方法
- 下一篇:一种掩膜版及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类