[发明专利]一种闪存存储系统的效能加速方法在审
| 申请号： | 201810394415.X | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108710473A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 黄中柱;李庭育;魏智汎;洪振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏华存电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直接内存存取模块 加速电路 内存 闪存存储系统 中央处理器 中央处理器连接 直接内存存取 存储系统 机器周期 搜寻 | ||
1.一种闪存存储系统的效能加速方法，包括中央处理器（1）、内存（2）、直接内存存取模块（3）和加速电路（4），其特征在于：所述中央处理器（1）连接内存（2），所述直接内存存取模块（3）内设有加速电路（4），且所述直接内存存取模块（3）连接内存（2）。
2.根据权利要求1所述的一种闪存存储系统的效能加速方法，其特征在于：所述加速电路（4）包括光耦（5）、三极管A(1c)、三极管B(2c)，所述光耦(5)第一输入端连接电阻A(1a)，第二输入端连接三极管A(1c)集电极，所述三极管A(1c)基极分别连接电阻C(3a)一端、电阻F(6a)一端和电容B(2b)一端，电容B(2b)另一端连接电阻C(3a)另一端，所述三极管A(1c)发射极连接电阻F(6a)另一端并接地；所述光耦(5)第一输出端连接电阻E(5a)一端，第二输出端分别连接电容A(1b)一端、电阻B（2a）一端和电阻D(4a)一端，所述三极管B(2c)基极分别连接电阻B(2a)另一端、电容A(1b)另一端，所述三极管B(2c)发射极连接电阻D(4a)另一端并接地，所述三极管B(2c)集电极连接电阻E(5a)另一端。
3.根据权利要求1所述的一种闪存存储系统的效能加速方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、数据读取到直接内存存取；
B、设定比对模式；
C、利用比对电路进行数据比对；
D、把比对结果回传。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏华存电子科技有限公司，未经江苏华存电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810394415.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
