[发明专利]化学机械抛光装置

权利要求书

1.一种实施抛光工艺的装置，包括：

可旋转的抛光垫；

温度传感器，配置为监测所述可旋转的抛光垫的顶面上的温度；

第一分配器，配置为将保持在第一温度的第一浆料分配在所述可旋转的抛光垫上；

第二分配器，配置为将保持在第二温度的第二浆料分配在所述可旋转的抛光垫上；以及

控制器，连接至所述温度传感器以及所述第一分配器和所述第二分配器，并且配置为基于所述可旋转的抛光垫的所述顶面上的温度，控制从所述第一分配器和所述第二分配器分配的所述第一浆料和所述第二浆料的相应的体积，

其中，所述第二温度不同于所述第一温度，以将所述可旋转的抛光垫的所述顶面上的所述温度保持在恒定的值。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

载体，配置为在所述第一浆料和所述第二浆料的混合物的存在下，保持要抛光的样品抵靠所述可旋转的抛光垫的所述顶面。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一浆料和所述第二浆料的混合物处于所述第一温度和所述第二温度之间的温度处。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述样品是硅晶圆。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一浆料和所述第二浆料具有相同的磨料流。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括：

第一容器，连接至所述第一分配器，并且配置为包含保持在所述第一温度的所述第一浆料；以及

第二容器，连接至所述第二分配器，并且配置为包含保持在所述第二温度的所述第二浆料。

7.根据权利要求2所述的装置，其中，所述可旋转的抛光垫被配置为绕着第一旋转轴旋转，所述载体被配置为绕着第二旋转轴旋转，所述第一旋转轴平行于所述第二旋转轴。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述第一浆料的所述第一温度高于所述第二浆料的所述第二温度时，响应于所述可旋转的抛光垫的所述顶面上的温度低于所述恒定的值，所述控制器配置为增大所述第一浆料的流量并且减小所述第二浆料的流量。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述第一浆料的所述第一温度高于所述第二浆料的所述第二温度时，响应于所述可旋转的抛光垫的所述顶面上温度高于所述恒定的值，所述控制器配置为减小所述第一浆料的流量并且增大所述第二浆料的流量。

10.一种实施抛光工艺的方法，包括：

使用第一流量将第一温度的第一浆料分配在旋转的抛光垫上；

使用第二流量将第二温度的第二浆料分配在所述旋转的抛光垫上，其中，所述第二温度不同于所述第一温度；

监测所述旋转的抛光垫的顶面上的温度；

当所述温度偏移预定的恒定阈值时，同时增大所述第一流量和所述第二流量中的一个并且减小所述第一流量和所述第二流量中的另一个，直到所述温度转变回到所述预定的恒定阈值；以及

通过调整所述第一浆料的所述第一流量和所述第二浆料的所述第二流量的至少一个，在恒定的温度处对样品实施抛光工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述旋转的抛光垫被配置为绕着第一旋转轴旋转。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述样品被配置为绕着第二旋转轴旋转，所述第一旋转轴平行于所述第二旋转轴。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述样品是硅晶圆。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括：

从保持在所述第一温度的第一容器分配所述第一浆料；以及

从保持在所述第二温度的第二容器分配所述第二浆料。