[发明专利]用于多路复用电压的电路、半导体器件及操作方法有效

专利信息
申请号: 201810394970.2 申请日: 2018-04-27
公开(公告)号: CN108880526B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 颜扬奇;陈柏廷 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 多路复用 电压 电路 半导体器件 操作方法
【权利要求书】:

1.一种电源(PS)电压的多路复用器电路,所述多路复用器电路包括:

可选指状电路,对应于所述电源电压,每个可选指状电路:

具有指状电路专用的输入节点和所述指状电路公用的输出节点;和

包括串联连接在所述输入节点与所述输出节点之间的C1型晶体管和第一C2型晶体管和第二C2型晶体管,所述C1型晶体管是具有第一导电类型C1的非增强型晶体管,所述第一C2型晶体管和所述第二C2型晶体管是具有第二导电类型C2的增强型晶体管;以及

被配置为:

从所述输入节点接收所述电源电压中相应的电源电压;和

如果选定的话,则将所述相应的电源电压的第一版本提供给所述输出节点。

2.根据权利要求1所述的多路复用器电路,其中,对于每个可选指状电路:

所述C1型晶体管连接在所述输入节点和第一中间节点之间;

所述第一C2型晶体管连接在所述第一中间节点和第二中间节点之间;以及

所述第二C2型晶体管连接在所述第二中间节点和所述输出节点之间。

3.根据权利要求2所述的多路复用器电路,还包括:

第一C1型阱和第二C1型阱;

偏置导轨,连接到每个可选指状电路的所述第二中间节点;以及

第一故障保护(FS)晶体管和第二故障保护(FS)晶体管;

其中:

每个可选指状电路的每个第一C2型晶体管形成在所述第一C1型阱中;

每个可选指状电路的每个第二C2型晶体管形成在所述第二C1型阱中;

所述第一C1型阱和所述第二C1型阱连接在第三中间节点处;

所述第一故障保护晶体管连接在所述第三中间节点和所述偏置导轨之间;

所述第一故障保护晶体管的栅电极被配置为接收故障保护控制信号;

所述第二故障保护晶体管连接在所述第三中间节点和所述输出节点之间;以及

所述第二故障保护晶体管的栅电极被配置为接收所述偏置导轨上的信号。

4.根据权利要求1所述的多路复用器电路,还包括:

C1型阱;

其中,每个可选指状电路的所述C1型晶体管形成在所述C1型阱中。

5.根据权利要求4所述的多路复用器电路,其中:

所述C1型阱偏置在VSS。

6.根据权利要求1所述的多路复用器电路,其中:

所述C1型为N型;以及

每个可选指状电路的所述N型晶体管被配置为接收所述电源电压中的最大一个作为控制信号以导通。

7.根据权利要求1所述的多路复用器电路,还包括:

第一C1型阱和第二C1型阱;

其中:

每个可选指状电路的每个第一C2型晶体管形成在所述第一C1型阱中;以及

每个可选指状电路的每个第二C2型晶体管形成在所述第二C1型阱中。

8.根据权利要求7所述的多路复用器电路,还包括:

偏置导轨,连接到所述第一C1型阱和所述第二C1型阱中的每一个。

9.根据权利要求8所述的多路复用器电路,其中:

所述偏置导轨被配置为接收所述电源电压的对应于所述可选指状电路中选定的可选指状电路的第二版本。

10.根据权利要求1所述的多路复用器电路,其中,以下至少一个是正确的:

每个可选指状电路的所述第一C2型晶体管被配置为接收所述电源电压中的最大一个作为控制信号以截止;以及

每个可选指状电路的所述第二C2型晶体管被配置为接收所述电源电压中的最大一个作为控制信号以截止。

11.根据权利要求1所述的多路复用器电路,其中:

所述可选指状电路中的每一个还包括:

增强型C1型晶体管,连接在所述输出节点和VSS之间。

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