[发明专利]均衡充电电路

权利要求书

1.均衡充电电路，包括LM321芯片U8，其特征在于U8的1脚通过电阻R58与C8051F007芯片U7的31脚相连，U8的5脚分别与电源VCC、电容C29一端相连，电容C29另一端接第一地，U8的2脚接第一地；

U8的4脚分别与电阻R59一端、电容C43一端相连，电容C43另一端分别与电阻R59另一端、NPN三极管Q1的集电极、电阻R53一端、NMOS管Q5的栅极相连，NPN三极管Q1的发射极接第一地，NPN三极管Q1的基极通过电阻R56与U7的27脚相连，电阻R53另一端分别与第一地线、电阻R48一端相连，电阻R48另一端分别与电阻R55一端、NMOS管Q5的源极相连，电阻R55另一端与U8的3脚相连，NMOS管Q5的漏极分别与电阻R47一端、6脚微型自锁开关S2的1脚、6脚微型自锁开关S2的2脚、6脚微型自锁开关S2的5脚、6脚微型自锁开关S2的6脚相连，电阻R47另一端分别与电容C6一端、电容C8正极、Power+端相连，电容C6另一端分别与第一地线、电容C8负极相连。

2.根据权利要求1所述均衡充电电路，其特征在于所述电阻R58为3K欧姆电阻，电容C29为100nF电容，电阻R59为1K或1.5K欧姆电阻，电容C43为470pF电容，电阻R55为100欧姆电阻，电阻R56为2.2K欧姆电阻，电阻R53为47K欧姆电阻，电容C6为100nF电容，电容C8为100uF/16V电容。

3.根据权利要求1所述均衡充电电路，其特征在于所述三极管Q1为SS8050型三极管，NMOS管Q5为FQB30N06L型NMOS管。

4.根据权利要求1所述均衡充电电路，其特征在于所述U7的12脚分别与电容C18一端、电阻R35一端相连，电容C18另一端接第一地，电阻R35另一端分别与电容C17一端、电阻R34一端、开关S1一端相连，电阻R34另一端接+3.3V电源，开关S1另一端分别与电容C17另一端、第一地线相连。

5.根据权利要求4所述均衡充电电路，其特征在于所述电容C18为1uF电容，电阻R35为1K欧姆电阻，电阻R34为100K欧姆电阻，电容C17为100nF电容。

6.根据权利要求1所述均衡充电电路，其特征在于所述U7的31脚发出电压控制信号电压，控制信号给定电压与U8的3脚的反馈电压比较，在Q5产生方波，频率由电压控制信号的给定频率决定；U7的27脚在U7的31脚发出电压控制信号电压的同时给出电流参考信号，电流参考信号分别为3A和8A；

通过Q5做频率为80Hz～200Hz幅值为3A～8A的直流方波恒流源，在POWER+端和蓄电池负极B-之间形成放电激励回路；

通过U7的4、5脚采集蓄电池正极B+和蓄电池负极B-电压差及电流差，用公式Rin=（V1-V2）/（I1-I2）计算得出内阻，其中V1、V2是两次不同恒流源给定所对应的电压，I1、I2是恒流源给定的3A和8A。

7.根据权利要求1所述均衡充电电路，其特征在于所述U7发出电压控制信号电压和电流参考信号后，进行以下计算处理步骤：

在恒流源输出信号频率为80Hz时，测试V1、V2,存储I1、I2，验证V1、V2是否正常；

若是，1）用公式Rin=（V1-V2）/（I1-I2）计算得出内阻；

若否，2）恒流源输出信号频率加1，测试该频率下的V1、V2,存储该频率下的I1、I2，验证该频率下的V1/V2是否正常；

若是，进行步骤1）；若否，进行步骤2）。

8.根据权利要求7所述均衡充电电路，其特征在于所述用公式Rin=(V1-V2)/(I1-I2)计算Rin，与Rin初始值比对；

若变化值＜Rin初始值的15%；则对比V1、V2与各自的初始值，若变化值大于等于初始值的百分之二，则启动均衡充电150MA放电，直至V1、V2比对初始值的变化值小于初始值的百分之二，上传数据至上位机；若V1、V2比对初始值的变化值小于初始值的百分之二，则进行所述计算处理步骤；

若变化值≥Rin初始值的15%，报警。