[发明专利]一种硅基结构的微热板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810398572.8 申请日: 2018-04-28
公开(公告)号: CN108439326A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 李卫;刘菊燕;丁超;王琳琳;蔡云;潘沛峰 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 210023 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 微热板 多孔硅层 绝热层 硅基 腐蚀 制备 加热区 衬底 单晶硅 二氧化硅层 衬底表面 导热性能 工作区域 工作效率 空气接触 热量散失 旁热式 新设计 原有的 晶向 覆盖 生产
【权利要求书】:

1.一种硅基结构的微热板,包括衬底,其特征在于,所述衬底采用单晶硅,所述衬底表面由内致外依次覆盖有多孔硅层、绝热层和加热区,所述加热区为信号电极和加热电极;其中,衬底背部与多孔硅层被腐蚀成坑。

2.根据权利要求1所述的一种硅基结构的微热板,其特征在于,所述单晶硅的晶向为<100>。

3.根据权利要求1所述的一种硅基结构的微热板,其特征在于,所述绝热层为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的一种硅基结构的微热板,其特征在于,所述信号电极和加热电极均采用Pt金属电极。

5.根据权利要求1所述的一种硅基结构的微热板,其特征在于,所述微热板整体的表面覆有一层二氧化锡薄膜。

6.权利要求1所述的一种硅基结构的微热板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1)制备和清洗硅片,作为衬底;

步骤2)制备多孔硅:使用阳极氧化方法在步骤1)制备的衬底上形成多孔硅层;

步骤3)制备绝热层:在可编程控制的氧化炉中对步骤2)制备的多孔硅层进行热氧化,形成二氧化硅作为绝热层;

步骤4)溅射Pt电极:在步骤3)制备的绝热层上涂敷正性光刻胶,加掩模版后,进行紫外线曝光、显影,再磁控溅射Pt,利用Ar离子冲击,剥离光刻胶及其上面的Pt,制成Pt电极作为加热区;

步骤5)腐蚀衬底和多孔硅层:使用氢氧化钠溶液从背面腐蚀掉加热区下的硅衬底,并进一步腐蚀中部的多孔硅层,制成所述硅基结构的微热板。

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