[发明专利]一种双栅MOSFET结构在审
| 申请号： | 201810398766.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108767011A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郭宇锋;张茂林;童祎;陈静;李曼 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道区 栅氧层 漏区 源区 下表面 侧边 双栅 覆盖 电流驱动能力 短沟道效应 电场 工艺步骤 器件结构 双栅结构 上表面 有效地 渐变 减小 漏极 源极 兼容 | ||
【权利要求书】：
1.一种双栅MOSFET结构，其特征在于，包括：呈渐变厚度的沟道区，所述沟道区的厚度小的一侧设有源区，其厚度大的一侧设有漏区，所述源区远离沟道区的侧边设有源极，所述漏区远离沟道区的侧边设有漏极；相连的所述沟道区、所述源区和所述漏区的上、下表面分别覆盖第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层覆盖所述沟道区的部分的上表面设有第一栅极，所述第二栅氧层覆盖所述沟道区的部分的下表面设有第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极构成双栅结构。
2.根据权利要求1所述的一种双栅MOSFET结构，其特征在于，所述沟道区的上、下两表面的延长面必会相交。
3.根据权利要求1所述的一种双栅MOSFET结构，其特征在于，所述沟道区、所述源区和所述漏区的材料为硅或锗、锗硅、砷化镓、氮化镓。
4.根据权利要求1所述的一种双栅MOSFET结构，其特征在于，所述沟道区、所述源区和所述漏区的掺杂类型为P型或N型。
5.根据权利要求1所述的一种双栅MOSFET结构，其特征在于，所述第一栅氧层和所述第二栅氧层的材料为氧化物或氮化物的绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的一种双栅MOSFET结构，其特征在于，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极的材料为多晶硅或金属。
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