[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，使用成膜装置来形成规定的膜，所述成膜装置具有：

处理容器，其收纳被处理基板；

气体供给机构，其供给用于在被处理基板形成所述规定的膜的原料气体和反应气体、用于向所述处理容器输送所述原料气体和所述反应气体的载气、以及用于对所述处理容器内进行吹扫的吹扫气体；以及

排气机构，其对所述处理容器内进行排气，并且将所述处理容器内保持为真空气氛，

其中，所述气体供给机构具有：

原料气体流路，其用于向所述处理容器内供给所述原料气体；

反应气体流路，其用于向所述处理容器内供给所述反应气体；

第一载气流路和第二载气流路，所述第一载气流路和所述第二载气流路分别与所述原料气体流路和所述反应气体流路连接，并且用于供给所述原料气体和所述反应气体的载气；

吹扫气体流路，其与所述第一载气流路和所述第二载气流路相独立地设置，并且相对于所述第一载气和所述第二载气相独立地对用于对所述处理容器内吹扫的吹扫气体进行流量控制来向所述处理容器内供给该吹扫气体；

添加气体流路，其供给对所述规定的膜具有规定的功能的添加气体；以及

开闭阀门，所述开闭阀门对所述原料气体流路、所述反应气体流路、所述第一载气流路和所述第二载气流路、所述吹扫气体流路、以及所述添加气体流路分别独立地进行开闭，

所述成膜方法的特征在于，在将被处理基板配置于所述处理容器内的状态下进行如下处理，该处理包括以下工序：

第一工序，经由所述第一载气流路和所述第二载气流路总是向所述处理容器内供给载气；

第二工序，经由所述原料气体流路向所述处理容器内供给所述原料气体来在所述被处理基板的表面吸附所述原料气体；

第三工序，停止所述原料气体的供给，经由所述吹扫气体流路向所述处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体；

第四工序，经由所述反应气体流路向所述处理容器内供给所述反应气体来使所述原料气体与所述反应气体反应；以及

第五工序，停止所述反应气体的供给，经由所述吹扫气体流路向所述处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体，

其中，使所述第二工序到所述第五工序实施规定个循环，

在吹扫所述原料气体的第三工序和吹扫所述反应气体的第五工序中的任一方或两方中，经由所述添加气体流路供给具有所述规定的功能的添加气体作为所述吹扫气体的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在所述吹扫气体流路中具有用于贮存所述吹扫气体的气体贮存部，在所述吹扫气体被贮存于所述气体贮存部中而所述气体贮存部内升压后，打开设置于所述吹扫气体流路的所述阀门来向所述处理容器供给所述吹扫气体。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述吹扫气体流路具有与所述原料气体流路连接的第一吹扫气体流路以及与所述反应气体流路连接的第二吹扫气体流路，在吹扫所述原料气体的第三工序和吹扫所述反应气体的第五工序时，经由所述第一吹扫气体流路和所述第二吹扫气体流路供给所述吹扫气体。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述原料气体为TiCl₄气体，所述反应气体为NH₃气体，所述规定的膜为TiN膜。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

所述添加气体为H₂气体。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

成膜时的温度为400℃～750℃，在吹扫所述反应气体的第五工序时供给作为所述添加气体的H₂气体，所述H₂气体具有使所述TiN膜的电阻率下降的功能。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，

使所述第二工序到所述第五工序重复进行多个循环，并且使最终循环的所述第五工序的时间长时间化。