[发明专利]一种搪瓷钢基薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201810401535.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110429150A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 聂曼;杨立红 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 搪瓷钢 基底 吸收层 太阳能电池 基薄膜 工艺腔 电池生产过程 节约生产成本 高温制备 碱性元素 降低设备 生产过程 衰减效应 依次设置 窗口层 耐高温 电势 破片 时基 制备 诱导 扩散 | ||
1.一种搪瓷钢基薄膜太阳能电池，包括：
搪瓷钢基底；以及
所述搪瓷钢基底上方依次设置的吸收层和窗口层；
其中，所述搪瓷钢基底的厚度不超过1.5mm。
2.根据权利要求1所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，其中所述搪瓷钢包括钢体，以及搪瓷涂层，其中所述钢体厚度不超过1mm。
3.根据权利要求2所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，所述钢体厚度为0.15mm～0.6mm。
4.根据权利要求2所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，其中所述搪瓷涂层不含碱性元素。
5.根据权利要求2所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，其中所述搪瓷涂层含钾元素，不含钠元素。
6.根据权利要求2所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，其中所述搪瓷涂层含钠元素和钾元素，且Na/K<1。
7.根据权利要求2所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，所述搪瓷涂层的击穿电压高于1500V。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，所述吸收层是CIGS，所述吸收层的厚度为1.8μm～2.5μm，其中所述CIGS中铜元素与第三族元素比例在0.75～1之间，镓元素与第三族元素比例在0.2～0.5之间。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，所述窗口层是本征氧化锌以及铝掺杂氧化锌，其中所述铝掺杂氧化锌的厚度为700nm～1200nm，方块电阻为3～20Ω。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，在所述搪瓷钢基底与所述吸收层之间设置背电极，所述背电极是钼元素层，其厚度为200mm～500mm，方块电阻为500mΩ～1000mΩ。
11.根据权利要求1-7中任一项所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，在所述吸收层与所述窗口层之间设置缓冲层，所述缓冲层是硫化镉，其厚度为20nm～80nm。
12.根据权利要求10所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，在所述背电极与所述吸收层之间设置碱性元素层，碱性元素层是XF化合物，其中X为纳、钾、铷或铯。
13.根据权利要求11所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，在所述吸收层与所述缓冲层之间设置碱性元素层，其厚度为5nm～20nm。
14.根据权利要求1-7中任一项所述的搪瓷钢基薄膜太阳能电池，在所述搪瓷钢基底下方设置背板材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810401535.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种HJT电池片和HJT组件制备方法
- 下一篇：一种太阳能组件的封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
