[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，并在所述基板上依次制备、缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、第一透明电极层、源漏极走线和触控线，其中，通过将平坦化层作为间绝缘层的光阻层以节省一道光罩制程，通过将像素电极、源漏极走线和触控线在同一光罩制程中制备又节省一道光罩工艺。本发明提出了一种7道光刻工艺技术制备具有内嵌式触控阵列基板，进而缩短了阵列基板的生产周期，节约了制作成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因为具有高画质、省电、机身薄及应用范围广泛等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置的主流。

LCD中的低温多晶硅(简称LTPS)显示技术具有较高的载流子迁移率，可以使LCD中的晶体管获得更高的开关电流比，在满足要求的充电电流的条件下，可以通过缩小每个像素的薄膜晶体管的尺寸、增加每个像素透光区，提高面板开口率、改善面板亮点和高分辨率，降低面板功率，进而获得更好的视觉体验。

鉴于低温多晶硅技术的有源矩阵朝着不断缩小尺寸方向发展，随之而来的光刻技术进步导致了生产设备成本的激增。常见的导入内嵌式触控结构(In Cell Touch)是将具有触控功能的膜层穿插在正常显示的阵列制程中，为了满足显示与触控的功能同时可用，每一层都需要完成光罩、蚀刻形成一定的图案。导入内嵌式触控阵列基板需要使用12道光罩工艺进行制备，这样增加了阵列工艺中曝光机的使用，进而增加了阵列制程的复杂性，致使阵列基板整体的产能降低，为了降低制造成本，本行业内发明了9道光罩工艺进行阵列基板的制备，如图1所示为9道光罩工艺的流程图，但是这还是不能满足对阵列基板日益增加的产能的需求。因此，目前亟需一种能够降低阵列基板生产成本和周期的阵列基板及其制作方法。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，以解决现有阵列基板制备过程中所需光罩制程较多导致阵列基板的生产时间较长，生产成本较高的问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：

步骤S10、提供一基板，并在所述基板上方制备缓冲层；

步骤S20、在所述缓冲层的上方制备多晶硅层，所述多晶硅层包括位于两端的源漏极掺杂区和中间的沟道区，在所述多晶硅层的表面制备栅绝缘层和栅极，所述栅极设置在所述栅绝缘层的表面；

步骤S30、在所述缓冲层的上方制备间绝缘层，所述间绝缘层覆盖在所述缓冲层、所述多晶硅层、所述栅绝缘层和所述栅极的表面；

步骤S40、在所述间绝缘层表面制备平坦化层，采用第一光罩对所述间绝缘层和所述平坦化层进行曝光、蚀刻、显影以形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔均贯穿所述间绝缘层、所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触；

步骤S50、在所述间绝缘层上方依次制备透明电极层和金属层，使用第二光罩图案化所述透明电极层和所述金属层，以形成图案化的第一透明电极层、源漏极走线和触控线；

步骤S60、在所述源漏极走线和所述触控线的表面制备钝化层，并在所述钝化层的表面制备图案化的第二透明电极层，所述触控线与所述第二透明电极层电连接。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S50具体包括：

步骤S501、在所述间绝缘层上方依次沉积所述透明电极层和所述金属层，在所述金属层表面涂布光阻层；