[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，且在所述阳极和所述阴极之间设置有量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有第一功能层，且所述第一功能层为电子传输层，且所述电子传输层的材料为Zn_mSi_nO，其中，m的取值范围为0.8-0.95，n的取值范围为0.05-0.2，所述阴极为ITO，所述电子传输层的厚度为130-280nm。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为绿光量子点发光二极管，且所述电子传输层的厚度为170-250nm。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为蓝光量子点发光二极管，且所述电子传输层的厚度为130-220nm。

4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为红光量子点发光二极管，且所述电子传输层的厚度为210-280nm。

5.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，在所述阳极和所述量子点发光层之间设置有第二功能层，且所述第二功能层为空穴传输层。

6.如权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二功能层的厚度为0-100nm。

7.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二功能层的厚度为40-50nm。

8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供阴极，所述阴极为ITO；

在所述阴极上制备第一功能层，所述第一功能层为电子传输层，且所述电子传输层的材料为Zn_mSi_nO，其中，m的取值范围为0.8-0.95，n的取值范围为0.05-0.2，所述电子传输层的厚度为130-280nm；

在所述电子传输层表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备阳极。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一功能层的制备方法为：

提供锌盐、硅酸盐，将两者混合形成混合原料后，以氩气作为保护气体，以氧气作为工作气体，通过磁控溅射制备得到硅掺杂氧化锌材料的电子传输层。

10.如权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述锌盐选自硫酸锌、氯化锌、硝酸锌中的至少一种。