[发明专利]核壳量子点材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810403829.4 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110408378A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 邓承雨;杨一行;钱磊;谢相伟 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/06;C09K11/66;C09K11/67;C09K11/87;C09K11/85;C09K11/86;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 量子点 核壳量子点 核表面 制备 修补 材料制备技术 金属离子掺杂 发光性能 显示器件 断裂的 缺陷态 光色 价带 晶界 掺杂 金属 保证 | ||
1.一种核壳量子点材料，其特征在于，包括钙钛矿量子点核，所述钙钛矿量子点核表面掺杂有第二过渡系金属。
2.如权利要求1所述的核壳量子点材料，其特征在于，所述核壳量子点材料还包括包覆所述钙钛矿量子点核的N型半导体壳。
3.如权利要求2所述的核壳量子点材料，其特征在于，所述钙钛矿量子点核表面还包覆有酯材料层，所述酯材料层位于所述钙钛矿量子点核和所述N型半导体壳之间。
4.如权利要求2所述的核壳量子点材料，其特征在于，所述N型半导体壳的材料选自ZnO、ZnS、TiO2、SnO2、Ta2O3中的任一一种。
5.如权利要求3所述的核壳量子点材料，其特征在于，所述酯材料层的材料选自己酸酯、庚酸酯、壬酸酯、癸酸酯、辛酸酯、苯基己酸酯、羟基己酸酯、巯基己酸酯和氨基庚酸酯中的至少一种；或
所述酯材料层的材料选自取代或未取代的脂肪酸甲酯、取代或未取代的脂肪酸乙酯、取代或未取代的脂肪酸丙酯、取代或未取代的脂肪酸丁酯、取代或未取代的脂肪酸辛酯、取代或未取代的脂肪酸戊酯、取代或未取代的脂肪酸己酯、取代或未取代的脂肪酸庚酯、取代或未取代的脂肪酸癸酯、取代或未取代的脂肪酸乙二醇酯、取代或未取代的脂肪酸丙三醇酯、取代或未取代的脂肪酸丙二醇酯、取代或未取代的脂肪酸丙烯醇酯和取代或未取代的脂肪酸乙烯醇酯中的至少一种。
6.如权利要求1-5任一项所述的核壳量子点材料，其特征在于，所述钙钛矿量子点核为全无机钙钛矿量子点核或有机-无机钙钛矿量子点核；和/或
所述第二过渡系金属选自钇或锆；和/或
所述第二过渡系金属占所述钙钛矿量子点核的摩尔分数为1-10％。
7.一种核壳量子点材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第二过渡系金属前驱体和钙钛矿量子点核；
将所述第二过渡系金属前驱体和所述钙钛矿量子点核混合后，依次进行第一加热处理和退火处理，得到表面掺杂有第二过渡系金属的钙钛矿量子点核；
将所述表面掺杂有第二过渡系金属的钙钛矿量子点核包覆一层N型半导体壳，得到所述核壳量子点。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热处理的条件为：温度220-320℃，时间70-85min；和/或
所述退火处理的条件为：温度120-150℃。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二过渡系金属前驱体的制备方法包括：将第二过渡系金属盐和催化剂溶解在醇中，然后与有机酸混合，进行第二加热处理；和/或
所述N型半导体壳为ZnS壳，且包覆所述ZnS壳的步骤包括：将锌盐和硫粉加入到所述表面掺杂有第二过渡系金属的钙钛矿量子点中，进行第三加热处理。
10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，将所述表面掺杂有第二过渡系金属的钙钛矿量子点核包覆一层N型半导体壳的步骤之后，还包括结晶处理。
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