[发明专利]一种光子晶体全光二极管有效
| 申请号： | 201810407519.X | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108761639B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张娟;王鹏翔 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02F1/095;G02F1/35;G02F1/365 |
| 代理公司： | 31205 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 全光二极管 调谐 非线性介质 单向传输 光子晶体 波长 入射 一维光子晶体 双稳态特征 不对称性 常规薄膜 磁光介质 光二极管 光谱响应 时非线性 输入光强 外加磁场 周期交替 不对称 高透射 透射率 灵活 单层 光强 正向 磁场 截止 敏感 | ||
【权利要求书】：
1.一种光子晶体全光二极管，整个结构关于内部非线性光学介质D是不对称的；其特征在于：输入光束垂直入射光学介质层，沿输入光束前进的方向依次为：周期性交替结构的光学介质A和光学介质B，其周期数为M；光学介质D；周期性交替结构的光学介质B和光学介质A，其周期数为N；及周期性交替结构的光学介质A和光学介质B，其周期数为L。
2.根据权利要求1所述的光子晶体全光二极管，其特征在于：所述光学介质D为非线性的克尔光学介质；光学介质A和光学介质B分别为常规薄膜光学介质和折射率随外加磁场大小变化的磁光材料光学介质。
3.根据权利要求1所述的光子晶体全光二极管，其特征在于：所述光学介质D左右两侧的周期性交替结构的周期数M和N不相等，且满足N=M+2关系。
4.根据权利要求1所述的光子晶体全光二极管，其特征在于：所述光学介质A和光学介质B的光学厚度相等。
5.根据权利要求1所述的光子晶体全光二极管，其特征在于：输入光束的输入光强要大于设定的输入光强阈值，实现正向入射高透射率而反向入射截止的单向传输特性；同时，通过调节输入光强和/或外加磁场大小，实现全光二极管单向传输波长范围的灵活调谐。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810407519.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
