[发明专利]一种波导光栅滤波器及其制作方法有效
申请号: | 201810409526.3 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108562971B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 陈开;段飞;余永林 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/138;G02F1/01 |
代理公司: | 北京君智知识产权代理事务所(普通合伙) 11305 | 代理人: | 黄绿雯 |
地址: | 430074 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波导 光栅 滤波器 及其 制作方法 | ||
1.一种波导光栅滤波器,所述波导光栅滤波器包括衬底(1)和设置在衬底(1)上的波导(2),所述波导(2)包括波导主体(202)、设于波导主体(202)以上的二氧化硅上包层(203)和设于二氧化硅上包层(203)以上的薄膜加热器层(204),所述波导主体(202)两侧刻有光栅;
其特征在于所述波导光栅滤波器还包括用于支撑波导(2)的梁柱结构(3);
所述梁柱结构(3)包括位于波导(2)两侧、设置在衬底(1)上的柱结构(302)和用于连接柱结构(302)的梁结构(301);
波导(2)与衬底(1)之间具有空气隙(201);
所述波导光栅滤波器的制作方法包括以下步骤:
(1)取SOI晶片,在所述晶片上层涂覆光刻胶,构造波导(2)和梁柱结构(3);所述SOI晶片具有硅材料衬底、二氧化硅中间层和顶层硅;
(2)对所述光刻胶层曝光显影,除去波导(2)和梁柱结构(3)以外的光刻胶层,并以余下的光刻胶层为掩膜进行刻蚀,除去掩膜以外的顶层硅,得到两侧具有光栅的波导;
(3)通过湿法腐蚀掉所述波导(2)下方的二氧化硅中间层,构成空气隙(201),且保留梁柱结构(3)部分二氧化硅中间层以构成柱结构(302);
(4)在波导(2)上部沉积二氧化硅上包层(203);
(5)在二氧化硅上包层(203)的上表面构造薄膜加热器层(204)。
2.根据权利要求1所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述梁柱结构(302)包括对称设置在波导主体(202)两侧、周期性设置的多个梁柱单元,相邻梁柱单元间距为5~20μm。
3.根据权利要求1所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述波导主体(202)为脊形波导,所述光栅刻在脊形波导的内脊两侧。
4.根据权利要求3所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述光栅是矩形光栅。
5.根据权利要求3所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述光栅的中心波长在通信波段C波段。
6.根据权利要求1所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述空气隙(201)的高度为200-300nm。
7.根据权利要求1所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述薄膜加热器层(204)是金属薄膜加热器层,其包括位于下部的镍层和位于上部金层。
8.根据权利要求1所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述波导光栅滤波器还包括设置在波导(2)两端、通过锥形过渡段连接的光输入端(4)和光输出端(5)。
9.根据权利要求1所述的波导光栅滤波器,其特征在于所述步骤(4)中,通过等离子体增强化学气相沉积法在波导(2)上部沉积二氧化硅上包层(203)。
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