[发明专利]像素结构及其制备方法、显示器件

权利要求书

1.一种像素结构，包括多个像素单元，每个所述像素单元包括多种颜色的子像素，其特征在于，每个所述像素单元包括：

衬底；

多个像素电极，各所述像素电极间隔分布于所述衬底上，每个所述像素电极对应于一个所述子像素；

像素界定层，设置于所述衬底上，所述像素界定层开设有墨水沉积坑，相邻的同色子像素的所述像素电极位于同一所述墨水沉积坑中，相邻的异色子像素的所述像素电极被所述像素界定层隔离；及

隔离层，设置于所述衬底上，且位于所述墨水沉积坑中，所述隔离层靠近所述衬底一侧的宽度小于所述隔离层远离所述衬底一侧的宽度，所述隔离层将相邻的同色子像素的所述像素电极隔断，且阻止被隔断的所述像素电极靠近所述隔离层的一侧形成尖端结构；

所述像素电极靠近所述隔离层的一侧呈弧形，或所述像素电极靠近所述隔离层的一侧为由多段弧形形成的波浪形。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述衬底包括基板及设置于所述基板上的平坦层，所述隔离层、所述像素电极及所述像素界定层均设置于所述平坦层上。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述隔离层的厚度与所述像素界定层的厚度之比为2:15～3:8。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述隔离层的厚度为100nm～300nm；及/或所述像素界定层的厚度为800nm～1500nm。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括发光功能层及顶电极层，所述发光功能层设置于所述墨水沉积坑中，且覆盖于所述像素电极及所述隔离层上，所述顶电极层覆盖于所述发光功能层的表面及所述像素界定层的表面。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极的材质选自氧化铟锡、氧化铟锌、石墨烯、导电聚合物、铝及银中至少一种；及/或，

所述顶电极层的材质选自氧化铟锡、氧化铟锌、石墨烯、导电聚合物、铝及银中至少一种。

7.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，发光功能层的厚度为80nm～300nm。

8.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，顶电极层的厚度为15nm～150nm。

9.一种像素结构的制备方法，所述像素结构包括多个像素单元，每个所述像素单元包括多种颜色的子像素，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供衬底，并于所述衬底上设置隔离层，所述隔离层靠近所述衬底一侧的宽度小于所述隔离层远离所述衬底一侧的宽度；

于所述衬底上沉积像素电极层，并对所述像素电极层进行图像化处理，得到像素电极，每个所述像素电极对应于一个所述子像素，同一颜色的像素电极层在所述隔离层处被隔断从而形成相邻的同色子像素的所述像素电极；及，

于所述衬底上形成像素界定层，并于所述像素界定层开设墨水沉积坑，其中，所述像素界定层将相邻的异色子像素的所述像素电极隔离，所述墨水沉积坑与所述同色子像素的所述像素电极相对应，以使相邻所述同色子像素位于同一个所述墨水沉积坑，且使所述隔离层位于所述墨水沉积坑中。

10.一种显示器件，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的像素结构。