[发明专利]一种双层石墨烯插层化合物的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810411872.5 申请日: 2018-04-24
公开(公告)号: CN108314025A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 苗中正 申请(专利权)人: 盐城师范学院
主分类号: C01B32/19 分类号: C01B32/19;C01B32/194
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 224000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 双层石墨 插层化合物 插层剂 石墨插层化合物 氯化碘 石墨烯 二阶 片层 制备 分解产生气体 高频晶体管 石墨烯材料 自由载流子 剥离石墨 高温处理 熔融盐法 三氯化铁 透明电极 电学 层间距 传统的 可控制 纳电子 插层 热学 迁移 应用 制造
【权利要求书】:

1.一种双层石墨烯插层化合物的制备方法,包括如下步骤:

(1)利用氯化碘作为插层剂得到二阶石墨插层化合物,对二阶石墨插层化合物高温处理,氯化碘分解产生气体剥离石墨片层得到双层高质量石墨烯材料;

(2)利用三氯化铁等作为插层剂,运用熔融盐法对双层高质量石墨烯进行插层,得到双层石墨烯插层化合物。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的氯化碘作为二阶石墨插层化合物的插层剂。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的石墨优先选择10~150目膨胀石墨,其次为高定向热解石墨、鳞片石墨、微晶石墨或者混合物。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的氯化碘与石墨混合加热的温度约为160℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中石墨插层化合物的插层剂是金属或金属卤化物,具体为钾、钠、锂、钾钠合金、氯化碘、氯化铝、氯化镍、氯化锑、氯化铁或氟化锑。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中熔融盐法的温度为380~420℃。

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