[发明专利]一种微通道散热器结构及其制备方法有效
申请号: | 201810412925.5 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN108666283B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 张剑;卢茜;向伟玮;李阳阳;林佳;陈显才 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 郭彩红 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通道 散热器 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种微通道散热器结构,包括内埋流道和进/出液口,设置于键合在一起的A硅片和B硅片中的A硅片内;其特征在于:还包括开口流道和分流流道;所述开口流道设置于B硅片中,与A硅片中的部分内埋流道一一对应并相通;所述开口流道贯穿B硅片;所述分流流道设置于散热器内部,与内埋流道和进/出液口相通。
2.根据权利要求1所述的微通道散热器结构,其特征在于:所述分流流道为刻蚀的分流流道侧壁之间所形成的大面积相通的通道。
3.根据权利要求1所述的微通道散热器结构,其特征在于:所述部分内埋流道为不包含任意相对两侧边缘部分内埋流道的中间部分内埋流道,或不包含四周边缘部分内埋流道的中间部分内埋流道。
4.根据权利要求1所述的微通道散热器结构,其特征在于:所述分流流道由进/出液口导向内埋流道。
5.根据权利要求1所述的微通道散热器结构,其特征在于:所述分流流道均匀布置。
6.根据权利要求1所述的微通道散热器结构,其特征在于:所述开口流道的宽度与内埋流道的宽度相同。
7.根据权利要求1所述的微通道散热器结构,其特征在于:所述内埋流道的宽度为5µm~100µm,深度为30µm ~500µm。
8.根据权利要求1到7之一所述的微通道散热器结构,其特征在于:所述分流流道设置于A硅片内部。
9.一种微通道散热器结构制备方法,用于制备上述微通道散热器结构,具体方法包括:
提供待键合在一起制备微通道散热器的A硅片和B硅片;
在A硅片和B硅片待键合的表面各生长一层SiO2,并控制其表面粗糙度以便于A硅片和B硅片的键合;
在A硅片生长有SiO2的一侧表面刻蚀内埋流道和分流流道结构,并在A硅片另一表面刻蚀与所述分流流道相通的进/出液口;所述另一表面为与A硅片生长有SiO2的一侧表面相对的表面;
将B硅片和刻蚀有内埋流道、进/出液口和分流流道结构的A硅片键合在一起得到具有内埋流道结构的C硅片;
在B硅片远离其键合表面的表面刻蚀开口流道,并保证所述开口流道与部分内埋流道一一对应并相通。
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