[发明专利]一种非易失性阻变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

利用磁控溅射法于PET衬底上沉积一层ITO薄膜；

制备PVK包埋ZnO纳米粒子溶液；

利用旋涂法将所述PVK包埋ZnO纳米粒子溶液涂覆于所述ITO薄膜，得到PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜；

采用真空蒸镀法于所述PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜上沉积顶电极。

2.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述制备PVK包埋ZnO纳米粒子溶液的步骤包括：

称取6～12g Zn(CH₃COO)₂·2H₂O溶于100～200mL乙二醇甲醚中，加入5～10mL乙醇胺，在55～65℃的水浴条件下搅拌2h，得到ZnO溶胶；

将所述ZnO溶胶在空气中静置陈化24h；

向所述ZnO溶胶中滴加NaOH溶液直至PH＝12，得到前驱体；

将所述前驱体倒入高压反应釜中，于200℃下保持0.5～8h，得到所述ZnO纳米粒子；

将所述ZnO纳米粒子溶于无水乙醇，得到ZnO纳米粒子溶液；

称取30g PVK溶于6mL氯仿中，超声震荡20min，得到PVK溶液；

向试管中加入所述PVK溶液和所述ZnO纳米粒子溶液并混合均匀，得到所述PVK与所述ZnO纳米粒子的质量分数比为200:1～10:1的所述PVK包埋ZnO纳米粒子溶液。

3.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述得到PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜的步骤包括：

将涂覆有所述ITO薄膜的所述PET衬底依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗15～20min，用无水乙醇冲洗，再于加热平台上烘干；

将涂覆有所述ITO薄膜的所述PET衬底固定于匀胶机内，所述ITO薄膜朝上，向所述ITO薄膜上滴加所述PVK包埋ZnO纳米粒子溶液，先在500～800rpm的转速下旋转5～10s，再在2000～3000rpm的转速下旋转30～40s；

取下涂覆有所述ITO薄膜的所述PET衬底，将所述PET衬底置于加热平台上于80℃下退火10min。

4.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述沉积顶电极的步骤包括：

将沉积有所述PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜的所述PET衬底置于真空蒸镀室内的基片架上，沉积有所述PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜的一侧朝向蒸发舟；

利用掩膜版遮挡所述PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜的部分区域；

将所述顶电极的材料放入所述蒸发舟中；

控制真空蒸镀室内的本体真空度不高于1×10^-2Pa，蒸发舟温度为680～1100℃；

去除掩膜版，得到非易失性阻变存储器。

5.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述顶电极的材料为Ag、Al或Cu。

6.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述顶电极的厚度为20～50nm。

7.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述ITO薄膜的厚度为20～50nm。