[发明专利]一种大单晶导电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810413642.2 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108546985B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李雪松;涂小明;詹龙龙 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大单晶 导电 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大单晶导电材料的制备方法，其特征在于，对多晶导电材料在加载恒定电流的条件下进行退火处理，加热至退火温度后保温、移炉、冷却，制得大单晶导电材料；其中，退火温度低于多晶导电材料的熔点温度，连接多晶导电材料的导体，其熔点高于退火温度；
所述多晶导电材料为导电金属、导电合金或导电陶瓷；
所述导电金属为铜或铝，所述导电合金为镍铜合金，所述导电陶瓷为SnO2-ZnO-CuO-Al2O3；
退火处理条件还包括：以流量为200-1000sccm的氩气作为保护气，以流量5-20sccm的氢气作为还原气体，以10-25℃/min升温速率升至退火温度；
保温时间为1.5-2.5h，移炉速率为1cm/(10-30)min，冷却速率为50-100℃/min。
2.根据权利要求1所述的大单晶导电材料的制备方法，其特征在于，所述恒定电流为1-100A，所述退火温度低于多晶导电材料熔点温度10-400℃。
3.根据权利要求1所述的大单晶导电材料的制备方法，其特征在于，所述导体为非挥发性导体。
4.根据权利要求3所述的大单晶导电材料的制备方法，其特征在于，所述导体为铝丝或铜丝。
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