[发明专利]抗总剂量辐射的功率场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：

提供具有硅基有源区的晶片、并氧化所述硅基有源区的表面形成遮蔽层；

经由所述遮蔽层向所述硅基有源区内注入氮离子形成掺氮硅区，注入的所述氮离子的离子束能量范围为50KeV至110KeV，注入的所述氮离子的剂量范围为1*10¹¹cm^-3至1*10¹³cm^-3；

除去所述遮蔽层；

氧化所述掺氮硅区形成凸出于所述硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层；

在所述掺氮氧化硅介质层上依次形成多晶硅栅极层、隔离层和电极层。

2.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，注入的所述氮离子的离子束能量为90KeV。

3.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，注入的所述氮离子的剂量为5*10¹²cm^-3。

4.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述氧化所述掺氮硅区形成凸出于所述硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层的步骤，具体包括：

在氮气氛围中将待氧化的晶片装入高压炉内并密封所述高压炉；

先向所述高压炉内吹入干燥氧气5分钟，然后向所述高压炉内吹入水汽5分钟；

在水汽气氛中增压7.5分钟至8.5分钟；

在水汽气氛中降压3分钟至4分钟；

关闭水汽，并向所述高压炉内注入氮气以代替水汽；

在氮气气氛中退火7分钟后取出晶片，所述晶片表面形成有掺氮氧化硅介质层。

5.根据权利要求4所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述氧化所述掺氮硅区形成凸出于所述硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层的步骤中，氧化所述掺氮硅区的温度范围为650℃至850℃。

6.根据权利要求4所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述氧化所述掺氮硅区形成凸出于所述硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层的步骤中，氧化所述掺氮硅区施加的压力范围为0.5MPa至2MPa。

7.根据权利要求1至6任一项所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述氧化所述掺氮硅区形成凸出于所述硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层的步骤中，形成的所述掺氮氧化硅介质层厚度范围为600埃至1500埃。

8.根据权利要求7所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述氧化所述掺氮硅区形成凸出于所述硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层的步骤中，形成的所述掺氮氧化硅介质层的厚度为700埃。

9.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述提供具有硅基有源区的晶片、并氧化所述硅基有源区的表面形成遮蔽层的步骤中，形成的所述遮蔽层的厚度为200埃。

10.一种抗总剂量辐射的功率场效应晶体管，其特征在于，包括：硅基有源区以及依次设置在所述硅基有源区上的掺氮氧化硅介质层、多晶硅栅极层、隔离层以及电极层，所述掺氮氧化硅介质层所含的氮离子的剂量范围为1*10¹¹cm^-3至1*10¹³cm^-3。