[发明专利]一种金属量子点增强ZnO阻变存贮器及其制备方法

权利要求书

1.一种金属量子点增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述金属量子点增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有金属量子点。

2.根据权利要求1所述的金属量子点增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述Pt薄膜的厚度为30-200nm。

3.根据权利要求1所述的金属量子点增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述第一ZnO层的厚度为10-30nm。

4.根据权利要求1所述的金属量子点增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述金属量子点为Au量子点、Ag量子点、Pt量子点、Cu量子点、Al量子点或Fe量子点。

5.根据权利要求1所述的金属量子点增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述金属量子点的直径为2-250nm。

6.根据权利要求1所述的金属量子点增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述第二ZnO层的厚度为30-50nm；所述电极为Pt电极或Al电极，电极的厚度为30-200nm。

7.权利要求1-6中任一项所述的金属量子点增强ZnO阻变存贮器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在衬底上制备Pt薄膜；

2)在Pt薄膜上制备第一ZnO层；

3)在第一ZnO层上，沉积金属薄膜，然后快速升温至500-600℃，退火30-240s，获得金属量子点；

4)在金属量子点制备第二ZnO层；

5)重复操作步骤3)和4)3-7次，制备金属量子点和第二ZnO层；

6)在第三ZnO层上制备电极，得到金属量子点增强ZnO阻变存贮器。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，采用磁控溅射制备Pt薄膜，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10^-3-1×10^-6Pa，溅射温度为300-600℃，溅射功率为300-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，采用磁控溅射制备第一ZnO层，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10^-3-1×10^-6Pa，溅射温度为400-600℃，溅射功率为350-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用磁控溅射沉积8-20nm厚的金属薄膜，磁控溅射过程控制的条件为：真空为1×10^-3-1×10^-6Pa，溅射功率为300-550W，Ar气的气压为0.01-10Pa。