[发明专利]一种纳米级圆台微结构压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810415778.7 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108981980A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;刘均炎;蒋庭辉;江嘉怡;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米级 双通孔 多孔阳极氧化铝模板 圆台 均匀涂覆 微纳结构 纳米线 制备 微结构压力传感器 多孔阳极氧化铝 孔洞 传感器响应 结构稳定性 使用寿命 氧化铟锡 引出电极 灵敏度 基板 脱模 封装 固化 渗入 平整 | ||
1.一种纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)以双通孔多孔阳极氧化铝为模板，将双通孔多孔阳极氧化铝模板固定在平整的基板上；
(2)在所述双通孔多孔阳极氧化铝模板上均匀涂覆Ag纳米线，其中至少一根所述Ag纳米线渗入或进入双通孔多孔阳极氧化铝模板的孔洞当中；
(3)接着在双通孔多孔阳极氧化铝模板上均匀涂覆PDMS；
(4)固化、脱模，得到纳米级圆台微纳结构的PDMS；
(5)在所述纳米级圆台微纳结构的PDMS具有纳米级圆台微纳结构的面上均匀涂覆Ag纳米线；
(6)采用镀有氧化铟锡的PET为电极，将两块所述电极采用三明治方式包夹住步骤(5)中涂覆Ag纳米线的PDMS，进行封装，并制备引出电极，得到所述纳米级圆台微结构压力传感器。
2.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，所述双通孔多孔阳极氧化铝的厚度为0.1-100微米。
3.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，所述双通孔多孔阳极氧化铝的正面孔径为200-360nm，反面孔径为100-320nm，孔中心间距为125-450nm。
4.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，所述基板的材质为Si、Al2O3、玻璃中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，所述Ag纳米线的直径为10-150nm。
6.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中使用强力胶带从边缘将双通孔多孔阳极氧化铝模板固定在平整的基板上。
7.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中至少一半所述Ag纳米线渗入或进入双通孔多孔阳极氧化铝模板的孔洞当中。
8.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述PDMS的厚度为2-100微米。
9.根据权利要求1所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中使用涂覆机均匀涂覆PDMS。
10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的纳米级圆台微结构压力传感器的制备方法制备得到的纳米级圆台微结构压力传感器。
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