[发明专利]一种微晶陶瓷电容芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种微晶陶瓷电容芯片，包括陶瓷本体和分别设置于陶瓷本体两相对面的正负极，其特征在于：所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba₂Ti₉O₂₀、BaTi₄O₉、BaTi₃O₇、BaTi₅O₁₁和BaTi₆O₁₃中的至少一种，辅料包括以下摩尔百分比的原料：Si 4-5%,Ca 1.5-2.5%，As2.5-3.5%，K 2-3%，Mo 6-7%；所述辅料还包括以下摩尔百分比的原料：In 4-5.5%，I 0.5-2%；还包括以下摩尔百分比的稳定相：Ba₆Ti₁₇O₄₀ 9-14%、Ba₄Ti₁₃O₃₀ 20-24%、TiO₂ 15-18% 以及介稳相BaTi₂O₅ 18-20%；上述原料摩尔百分比总量为100%。

2.根据权利要求1所述的一种微晶陶瓷电容芯片，其特征在于：所述主料为Ba₂Ti₉O₂₀。

3.如权利要求1-2任一项所述的一种微晶陶瓷电容芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A、按照配方比例取原料并混合至均匀，将混合均匀后的原料置于 烧熔炉中烧融；B、将烧融后的原料置于 洁净的模具中凝固成型，得到坯料；C、对坯料进行表面粗研磨处理，坯料达到指定厚度和平整度后再进行精细研磨处理；D、将步骤C中研磨完成的坯料置于 置换溶液中进行钠钾离子置换处理，然后晾干，在对坯料表面或外圆进行涂釉处理；E、对步骤D得到的坯料置于 烘烤设备中进行一次烘烤处理，烘烤完成后于陶瓷本体两相对面的涂设正负极，再将其置于 烘烤设备中进行二次烘烤处理。

4.根据权利要求3所述的一种微晶陶瓷电容芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤A中烧融炉的烧融温度为2900-3200℃。

5.根据权利要求3所述的一种微晶陶瓷电容芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤D中置换处理的处理温度为290-310℃，处理时间为22-26h。

6.根据权利要求3所述的一种微晶陶瓷电容芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤E中一次烘烤处理的处理温度为190-210℃，处理时间为1.5-2.5h；所述二次烘烤处理的处理温度为800-1000℃，处理时间为28-32min。