[发明专利]一种降低浮栅方块电阻的方法在审
| 申请号： | 201810416005.0 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108648996A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张超然;罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方块电阻 浮栅 掺杂 多晶硅 磷元素 热退火 硅片 退火 氧化硅保护层 浮栅存储器 热处理过程 表面形成 产品性能 多晶硅层 研磨处理 制造工艺 淀积 良率 气源 氧气 离子 扩散 | ||
1.一种降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，应用于浮栅存储器制造工艺中，包括以下步骤：
步骤S1：提供一硅片，所述硅片表面形成有用以制备浮栅的多晶硅层；
步骤S2：对所述多晶硅层进行磷元素离子注入；
步骤S3：对所述硅片进行热退火处理，热退火气氛中掺杂预定体积的氧气；
步骤S4：对所述硅片的表面进行研磨处理以形成所述浮栅。
2.根据权利要求1所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述热退火气氛为氮气。
3.根据权利要求1所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述步骤S3中，热退火温度为1000℃。
4.根据权利要求1所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述步骤S3中，热退火时长为20秒。
5.根据权利要求1所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述热退火过程中氧气使用量为2.5-3.5升。
6.根据权利要求1所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述热退火过程中氧气使用量为3升。
7.根据权利要求1所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述硅片在步骤S1之前还包括以下步骤：
步骤A1：在所述硅片上制作浅槽隔离结构；
步骤A2：于所述硅片上进行阱注入操作以形成阱区；
步骤A3：在所述硅片表面形成浮栅氧化层；
步骤A4：于所述浮栅氧化层表面及所述浅槽隔离结构顶部覆盖形成所述多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述步骤S4中，研磨所述多晶硅层，至所述多晶硅层与所述浅槽隔离结构顶部齐平。
9.根据权利要求1所述的降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，所述步骤S4中，研磨的方法为化学机械研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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