[发明专利]一种MOSFET开关驱动电路有效

专利信息
申请号: 201810416594.2 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108880521B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 张明冉;李振国;邹岩;张公全;杨国杰;刘天强;胡建超;陈璐明;田勤;冯进喜;袁攀;张省 申请(专利权)人: 许继电源有限公司;许继电气股份有限公司;许继集团有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 吴敏
地址: 461000 河南省许昌市中原*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 mosfet 开关 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种MOSFET开关驱动电路,其特征在于,包括控制信号捕捉电路、充电电路、信号脉冲发生电路和功率放大电路,其中,控制信号捕捉电路包括与非门逻辑门电路,用于将MOSFET开关控制信号的有效信号输入与非门逻辑门电路的第一输入端;充电电路包括第一电容和第一电阻,第一电容输入端连接控制信号捕捉电路的输出端,第一电容输出端连接第一电阻;

所述信号脉冲发生电路为第一非门逻辑电路;所述MOSFET开关控制信号的有效信号为从高电平转换成低电平的信号沿;

信号脉冲发生电路的输入端连接第一电容输出端,信号脉冲发生电路的输出端连接所述与非门逻辑门电路的第二输入端,用于输出电平锁存信号;信号脉冲发生电路的输出端连接功率放大电路,功率放大电路用于将信号脉冲发生电路输出的信号进行功率放大生成MOSFET开关的驱动信号。

2.根据权利要求1所述的MOSFET开关驱动电路,其特征在于,所述控制信号捕捉电路包括电源正极、第二电阻、第一开关管和电源负极连接形成的回路,第一开关管的控制端用于输入所述MOSFET开关控制信号,第二电阻和第一开关管之间的电位点连接所述与非门逻辑电路的第一输入端,与非门逻辑电路的输出端连接第一电容。

3.根据权利要求2所述的MOSFET开关驱动电路,其特征在于,第一开关管为光敏三极管。

4.根据权利要求1所述的MOSFET开关驱动电路,其特征在于,所述功率放大电路包括依次连接的第二非门逻辑电路、第三电阻、第三非门逻辑电路、驱动模块,所述驱动模块包括电源正极、第二开关管、第三开关管、电源负极连接形成的回路,第二开关管和第三开关管的控制端分别连接第三非门逻辑电路,第二开关管和第三开关管的之间的连接端用于输出所述MOSFET开关的驱动信号。

5.根据权利要求4所述的MOSFET开关驱动电路,其特征在于,第二开关管为PMOS型MOSFET,第三开关管为NMOS型MOSFET。

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