[发明专利]一种电磁屏蔽材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810416792.9 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108711497A 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 杨操兵;钟列平;徐厚嘉;刘晓辉 申请(专利权)人: 苏州威斯东山电子技术有限公司
主分类号: H01F27/36 分类号: H01F27/36;H01F41/02
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 翁德亿
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 磁材 双面胶 电磁屏蔽材料 不均匀分布 电磁屏蔽 电磁原理 分布原理 局部发热 梯度分布 无线充电 线圈磁路 一次贴合 磁导率 单层磁 隔磁片 磁通 制备 优化
【权利要求书】:

1.一种电磁屏蔽材料,其特征在于,包括:由第一磁材片(1)和第二双面胶(B)构成的磁导率为μ*(1-m%)的第一磁材片单元,由第二磁材片(2)和第三双面胶(C)构成的磁导率为μ*(1-n%)的第二磁材片单元,由第三磁材片(3)和第四双面胶(D)构成的磁导率为μ*(1+n%)的第三磁材片单元,以及,由第四磁材片(4)和第五双面胶(E)构成的磁导率为μ*(1+m%)的第四磁材片单元;所述第一磁材片单元通过所述第二双面胶(B)贴合在所述第二磁材片单元上,所述第二磁材片单元通过所述第三双面胶(C)贴合在所述第三磁材片单元上,所述第三磁材片单元通过所述第四双面胶(D)贴合在所述第四磁材片单元上,所述第一磁材片单元上端面还贴合有第一双面胶(A);

所述μ*(1-m%)、μ*(1-n%)、μ*(1+n%)和μ*(1+m%)公式中,

μ表示电磁屏蔽材料所要求设计的磁导率;

n表示所述第一磁片(1)和所述第四磁片(4)的磁导率偏离所设计值的百分比值,1<n<100;

m表示所述第二磁片(2)和所述第三磁片(3)的磁导率偏离所设计值的百分比值,1<m<100;

m%表示所述第一磁片(1)的磁导率相对于设计值的百分比;

n%表示所述第二磁片(2)的磁导率相对于设计值的百分比;

1+n%表示所述第三磁片(3)的磁导率相对于设计值的百分比;

1+m%表示所述第四磁片(4)的磁导率相对于设计值的百分比。

2.如权利要求1所述的电磁屏蔽材料的制备方法,其特征在于,包括:以下步骤:

步骤1)首先,将第一磁材片(1)的底部与第二双面胶(B)的一面进行贴合构成第一磁片前躯体;然后,通过第一碎磁辊轮将所述第一磁片前躯体的第一磁材片(1)碎裂细化成为一系列均匀微小颗粒组成的第一磁材片单元,并使其磁导率达到为μ*(1-m%);

步骤2)首先,将第二磁材片(2)的底部与第三双面胶(C)的一面进行贴合构成第二磁片前驱体;然后,通过第二碎磁辊轮将所述第二磁片前驱体的第二磁材片(2)碎裂细化成为一些列均匀微小颗粒组成的第二磁材片单元,并使其磁导率达到为μ*(1-n%);

步骤3)首先,将第三磁材片(3)的底部与第四双面胶(D)的一面进行贴合构成第三磁片前驱体;然后,通过第三碎磁辊轮将所述第三磁片前躯体的第三磁材片(3)碎裂细化成为一些列均匀微小颗粒组成的第三磁材片单元,并使其磁导率达到为μ*(1+n%);

步骤4)首先,将第四磁材片(4)的底部与第五双面胶(E)的一面进行贴合构成第四磁片前驱体;然后,通过第四碎磁辊轮将所述第四磁片前躯体的第四磁材片(4)碎裂细化成为一些列均匀微小颗粒组成的第四磁材片单元,并使其磁导率达到为μ*(1+m%);

步骤5)将第一磁材片单元的顶部与第一双面胶(A)的一面进行贴合成为一第一层叠组合体;

步骤6)将第一层叠组合体的底部与第二磁材片单元的顶部进行贴合为一第二层叠组合体;

步骤7)将第二层叠组合体的底部与第三磁材片单元的顶部进行贴合为一第三层叠组合体;

步骤8)将第三层叠组合体的底部与第四磁材片单元的顶部进行贴合为成品电磁屏蔽材料;

所述μ*(1-m%)、μ*(1-n%)、μ*(1+n%)和μ*(1+m%)公式中,

μ表示电磁屏蔽材料所要求设计的磁导率;

n表示所述第一磁片(1)和所述第四磁片(4)的磁导率偏离所设计值的百分比值,1<n<100;

m表示所述第二磁片(2)和所述第三磁片(3)的磁导率偏离所设计值的百分比值,1<m<100;

m%表示所述第一磁片(1)的磁导率相对于设计值的百分比;

n%表示所述第二磁片(2)的磁导率相对于设计值的百分比;

1+n%表示所述第三磁片(3)的磁导率相对于设计值的百分比;

1+m%表示所述第四磁片(4)的磁导率相对于设计值的百分比。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州威斯东山电子技术有限公司,未经苏州威斯东山电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810416792.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top