[发明专利]晶圆级系统封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级系统封装方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括集成有多个第一芯片的第一正面以及与所述第一正面相背的第一背面；

提供多个第二芯片；

在所述器件晶圆的第一正面形成可光刻的粘合层；

图形化所述粘合层，在所述粘合层内形成多个露出所述第一正面的第一通孔；

图形化所述粘合层后，将所述第二芯片设置于剩余粘合层上，所述第二芯片与所述第一通孔一一对应且覆盖所述第一通孔的顶部，并使所述器件晶圆和所述第二芯片键合；

刻蚀所述器件晶圆的第一背面，在所述器件晶圆内形成贯穿所述器件晶圆且与所述第一通孔相贯通的第二通孔，所述第二通孔和所述第一通孔构成第一导电通孔；

在所述第一导电通孔内形成与所述第二芯片电连接的第一导电柱。

2.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，使所述器件晶圆和所述第二芯片键合后，刻蚀所述器件晶圆的第一背面之前，还包括：在所述第一正面形成覆盖所述第二芯片的封装层；

通过所述第一背面对所述器件晶圆进行减薄处理。

3.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，使所述器件晶圆和所述第二芯片键合后，在所述第一导电通孔内形成与所述第二芯片电连接的第一导电柱之前，还包括：刻蚀所述器件晶圆的第一背面，在所述器件晶圆内形成露出所述第一芯片的第二导电通孔；

形成所述第一导电柱的步骤中，还在所述第二导电通孔内形成与所述第一芯片电连接的第二导电柱。

4.如权利要求3所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，形成所述第一导电柱和第二导电柱后，还包括：在所述器件晶圆的第一背面形成覆盖所述第一导电柱的第一焊垫以及覆盖所述第二导电柱的第二焊垫；

在所述第一背面形成钝化层，所述钝化层还覆盖所述第一焊垫和第二焊垫顶部；

图形化所述钝化层，露出部分所述第一焊垫和部分所述第二焊垫。

5.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，所述第二芯片包括形成有半导体器件的第二正面以及与所述第二正面相背的第二背面；

将所述第二正面或第二背面设置于剩余粘合层上。

6.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，图形化所述粘合层后，剩余粘合层仅露出所述第一通孔对应位置的第一正面；

或者，

剩余粘合层覆盖所述第二芯片对应位置的第一正面。

7.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，所述粘合层的材料为干膜、聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯。

8.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，图形化所述粘合层的步骤包括：对所述粘合层进行曝光显影工艺。

9.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，刻蚀所述器件晶圆的工艺为干法刻蚀和湿法刻蚀中的一种或两种。

10.如权利要求1所述的晶圆级系统封装方法，其特征在于，所述多个第二芯片的功能类型至少为一种。