[发明专利]暗像素结构

权利要求书

1.一种暗像素结构，其特征在于，包括：

感光区，在所述感光区的正上方至少覆盖有两层金属层；

在各所述金属层之间以及所述金属层和所述感光区之间隔离有介质层；

两层所述金属层都呈块状结构，所述金属层覆盖在所述感光区的正上方防止光线垂直照射到所述感光区中；

在所述金属层之间形成有带状通孔结构，所述带状通孔结构穿过所述介质层并分别和两层所述金属层接触，所述带状通孔结构在所述金属层的边缘内侧环绕成一个环状结构，所述带状通孔结构的金属防止光线从侧面进入到所述金属层之间并在所述金属层之间的介质层中传播并进而进入到所述感光区中。

2.如权利要求1所述的暗像素结构，其特征在于：所述感光区形成于有源区中。

3.如权利要求1所述的暗像素结构，其特征在于：所述金属层的覆盖的面积小于等于所述感光区的面积。

4.如权利要求2所述的暗像素结构，其特征在于：所述有源区由通过场氧隔离出来的半导体衬底组成。

5.如权利要求4所述的暗像素结构，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

6.如权利要求1所述的暗像素结构，其特征在于：所述介质层的材料包括氧化硅或氮化硅。

7.如权利要求1所述的暗像素结构，其特征在于：所述金属层的材料包括Al或铜，所述带状通孔结构中填充的金属包括Al或铜。