[发明专利]一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法

权利要求书

1.一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法，其特征在于依次推进以下步骤：

低温推进：将扩散炉温度设置为≤750度，将承载硅片的石英舟以≤70cm/min的速度送进扩散炉中；

低温稳定：对扩散炉通入大氮5~15L/min，并将扩散炉温度设置为≤790度，稳定时间 3~6min；

前氧处理：在扩散炉温度≤790度下，对扩散炉通入氮气和氧气的混合气体，其中大氮流量为8~14L/min，氧气的流量为0.9~1.5L/min，前氧处理时间为1~7min；

低温沉积：在扩散炉温度≤790度下，对扩散炉通入大氮、氧气和小氮的混合气体，其中大氮的流量为8~14L/min，氧气的流量为0.9~1.5L/min，小氮的流量为0.5~1.0L/min，低温沉积时间为5~10min；

升温推进：对扩散炉通入大氮13~18L/min，并以9~12℃/min的加热速度将扩散炉内的温度提升至815~840℃，升温推进时间为7~12min；

高温沉积：在扩散炉温度815~840℃下，保持5~10min，并在该时间范围内通入大氮、氧气和小氮的混合气体，其中大氮的流量为8~14L/min，氧气的流量为1.5~2.5L/min，小氮的流量为1.0~2.0L/min；

高温含氧推进：将扩散炉以9~12℃/min的加热速度将扩散炉内的温度提升至825~850℃，并在该时间范围内通入大氮与氧气的混合气体，其中大氮流量为8~14L/min，氧气的流量为3.5~4.5L/min，高温含氧推进时间为1~10min；

冷却：将扩散炉温度降低至≤790度，并通入大氮25~32L/min，冷却时间为 3~6min；

低温后氧处理：在扩散炉温度≤790度下保持1~7min，并在该时间范围内通入大氮和氧气的混合气体，其中大氮流量为8~14L/min，氧气的流量为0.9~1.5L/min；

低温出舟：对扩散炉通入大氮25~32L/min，并将承载硅片的石英舟以≤50cm/min的速度从扩散炉中运出。

2.根据权利要求1所述的一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法，其特征在于所述前氧处理步骤中大氮与氧气体积比为12:1。

3.根据权利要求1所述的一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法，其特征在于所述低温沉积步骤中大氮、氧气及小氮的体积比为3.2:3:2。

4.根据权利要求1所述的一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法，其特征在于所述高温沉积步骤中大氮、氧气及小氮的体积比为8:1.5:1。

5.根据权利要求1所述的一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法，其特征在于所述高温含氧推进步骤中大氮与氧气体积比为3:1。