[发明专利]高效低耗的镀膜设备

权利要求书

1.高效低耗的全自动镀膜系统，包括目标靶、靶源以及溅射腔体，其特征在于，

所述目标靶包括码放基片的基片架，以及带动基片架位移的平移设备，所述目标靶与靶源平行；

所述靶源包括靶材、磁体以及用于在靶源和目标靶之间产生电场的电场部件，所述靶材放置在磁体上；

所述溅射腔体为真空密封腔体；

其中，所述目标靶和靶源均设立在溅射腔体内部。

2.如权利要求1所述的高效低耗的全自动镀膜系统，其特征在于，磁体与电场部件组成电磁场。

3.如权利要求1所述的高效低耗的全自动镀膜系统，其特征在于，所述目标靶为阳极，所述靶源为阴极。

4.如权利要求1所述的高效低耗的全自动镀膜系统，其特征在于，所述靶源还包括溅射设备，所述溅射设备与靶源连接，所述溅射设备的功率在5kW至30kW之间。

5.如权利要求1所述的高效低耗的全自动镀膜系统，其特征在于，所述溅射腔体的真空度在10^-5～10^-2Pa之间。

6.如权利要求1所述的高效低耗的全自动镀膜系统，其特征在于，所述溅射腔体还包括惰性气体，所述惰性气体为氩气，所述氩气的压强在0.1～10Pa之间。

7.如权利要求1所述的高效低耗的全自动镀膜系统，其特征在于，还设有冷凝设备，所述冷凝设备与基片架连接。

8.如权利要求1所述的高效低耗的全自动镀膜系统，其特征在于，还包括气体供应循环装置，所述气体供应循环装置与溅射腔体连接。

9.一种利用权力要求1-8任一项所述高效低耗的全自动镀膜系统的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、将基片整齐码放基片架，并将基片架与平移机构连接；

第二步、使用真空机将腔体抽取到真空度为10^-5～10^-2Pa之间的真空状态；

第三步、使用气体循环供应设备为溅射腔体内提供氩气，使氩气压强在0.1～10Pa之间；

第四步、启动溅射设备并调功率在5kW至30kW之间，溅射设备将靶材转化为原子或原子团，同时启动冷凝设备；

第五步、平移机构带动目标靶在靶源溅射的有效范围内移动，使原子或原子团形态的靶材在电磁场的作用下移动至基片上形成保护膜。