[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；

有源层，所述有源层设置于所述缓冲层上；

第一绝缘层；

栅极，所述栅极设置于所述第一绝缘层上；

第二绝缘层；

触控信号线、源极和漏极，所述触控信号线、所述源极和所述漏极位于同层并设置于所述第二绝缘层上，所述源极和所述漏极分别连接于所述有源层；

第一电极，所述第一电极设置于所述第二绝缘层上；

平坦化层，所述平坦化层设置于所述第一电极上；

第二电极，所述第二电极设置于所述平坦化层上；

其中，所述第一电极、所述第二电极中的一者与所述漏极连接，所述第一电极、所述第二电极中的另一者与所述触控信号线连接；

所述栅极是通过在所述第一绝缘层上依次设置第一金属层和光阻构件，对所述第一金属层实施第二光罩制程，以使所述第一金属层在所述基板所在的平面上具有第一遮挡范围，同时保持向具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层实施所述第二光罩制程，以使所述第一金属层在所述基板所在的平面上具有第二遮挡范围来形成的；

所述有源层的第一部分中的N+离子是在向所述第一金属层实施所述第二光罩制程的过程中，使得所述第一金属层具有第一遮挡范围后，向所述有源层中未被具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层遮挡的第一部分植入的，所述有源层的第二部分中的N-离子是在向所述第一金属层实施所述第二光罩制程的过程中，使得所述第一金属层从第一遮挡范围缩减为第二遮挡范围后，向所述有源层中未被具有所述第二遮挡范围的所述第一金属层遮挡的第二部分植入的；

所述第二遮挡范围小于所述第一遮挡范围；

所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和所述平坦化层之间的第三绝缘层，以及连接电极，所述第二电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第五通孔与所述漏极连接；

所述第一电极设置于所述第三绝缘层上，所述连接电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第三通孔和设置于所述平坦化层的第四通孔连接所述触控信号线和所述第一电极；

所述第三通孔、所述第四通孔和所述第五通孔是通过对所述平坦化层和所述第三绝缘层实施第六光罩制程来形成的。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层设置有两轻掺杂区和两重掺杂区，两所述重掺杂区分别位于于所述有源层的两侧端，两所述轻掺杂区分别与两所述重掺杂区相邻接；

所述源极和所述漏极通过贯穿所述第二绝缘层的第一通孔和第二通孔分别与所述有源层的两所述重掺杂区连接。