[发明专利]倾斜台面的制备方法及探测器的制备方法

权利要求书

1.一种倾斜台面的制备方法，其特征在于，包括：

在晶片的台面区涂覆光刻胶层；

将涂覆光刻胶层后的晶片从第一预设温度加热至第二预设温度；所述将涂覆光刻胶层后的晶片从第一预设温度加热至第二预设温度，包括：

将加热板的温度升温至第一预设温度，将涂覆光刻胶层后的晶片放置在加热板上，在2分钟至20分钟内将加热板继续升温至第二预设温度，涂覆光刻胶层后的晶片从第一预设温度加热至第二预设温度，取下晶片；从第一预设温度到第二预设温度的加热过程中，温度以线性或非线性递增变化，所述第一预设温度为80℃至100℃，所述第二预设温度为140℃至200℃；

对经过加热后的晶片进行刻蚀处理，制备具有预设倾斜角度的台面；

去除制备台面后的晶片台面区的光刻胶层。

2.如权利要求1所述的倾斜台面的制备方法，其特征在于，所述对经过加热后的晶片进行刻蚀处理，包括：

对经过加热后的晶片进行多次循环干法刻蚀。

3.如权利要求1所述的倾斜台面的制备方法，其特征在于，所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P+层、碳化硅N层、碳化硅N-层和碳化硅N+层；或

所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P+层、碳化硅N-层和碳化硅N+层；或

所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P+层和碳化硅N层。

4.如权利要求3所述的倾斜台面的制备方法，其特征在于，所述衬底为碳化硅衬底。

5.如权利要求1至4任一项所述的倾斜台面的制备方法，其特征在于，所述台面的倾斜角度小于20度。

6.一种探测器的制备方法，其特征在于，包括：

通过如权利要求1-5任一项所述的方法在晶片上制备台面；

在制备台面后的晶片的欧姆接触电极区制备欧姆接触电极；

在制备欧姆接触电极后的晶片除欧姆接触电极区以外区域上表面和所述台面的侧面生长钝化层。

7.如权利要求6所述的探测器的制备方法，其特征在于，所述钝化层为氧化硅层、氧化铝层、氧化铬层、氧化钇层和氮化硅层中的一种或多种的组合。

8.如权利要求6所述的探测器的制备方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为50纳米至500纳米。

9.如权利要求6至8任一项所述的探测器的制备方法，其特征在于，所述欧姆接触电极的材料为镍、钛、铝、金中的一种或多种的组合。