[发明专利]雪崩光电二极管的制备方法

说明书

本发明适用于半导体技术领域，提供了一种雪崩光电二极管的制备方法，该方法包括：在晶片上制备台面；在晶片上表面和所述台面的侧面生长牺牲层；去除所述晶片欧姆接触电极区的牺牲层；在晶片的欧姆接触电极区制备欧姆接触电极；去除制备欧姆接触电极后的晶片非台面区和台面的侧面的牺牲层；在去除非台面区和台面的侧面的牺牲层后的晶片上表面和台面的侧面生长钝化层；去除所述晶片台面的上表面的钝化层和所述晶片非台面区与所述欧姆接触电极区对应区域的钝化层；去除所述晶片台面的上表面的牺牲层。本发明能够保护器件的光敏面不受损伤，从而减小器件的漏电流，并提高器件的量子效率和响应度。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种雪崩光电二极管的制备方法。

背景技术

雪崩光电二极管是常用的紫外探测器件，为了抑制碳化硅基紫外探测用雪崩光电二极管表面的漏电流，通常是通过高温热氧化工艺在器件表面生长氧化硅对器件进行钝化，但是高温热氧化生长氧化硅容易形成碳团簇，从而导致雪崩光电二极管在高温工作条件下邻近击穿电压时的暗电流急剧增大，并且，全覆盖的钝化层会导致雪崩光电二极管的响应度降低。为解决这一问题，常用的方法是刻蚀掉器件光敏区域的钝化层，形成光敏窗口。但是，对钝化层进行刻蚀会使器件光敏区域表面损伤，形成表面缺陷，导致紫外线被表面缺陷吸收，从而降低器件的量子效率和响应度。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种雪崩光电二极管的制备方法，以解决现有技术中对钝化层进行刻蚀会使器件光敏区域表面损伤，形成表面缺陷，导致紫外线被表面缺陷吸收，从而降低器件的量子效率和响应度的问题。

本发明实施例提供了一种雪崩光电二极管的制备方法，包括：

在晶片上制备台面；

在所述晶片的上表面和所述台面的侧面生长牺牲层；

去除所述晶片的欧姆接触电极区的牺牲层；

在去除欧姆接触电极区牺牲层后的晶片的欧姆接触电极区制备欧姆接触电极；

去除制备欧姆接触电极后的晶片的非台面区和台面侧面的牺牲层，所述非台面区为所述晶片中除所述台面以外的剩余区域；

在去除非台面区和台面侧面的牺牲层后的晶片的上表面和台面的侧面生长钝化层；

去除生长钝化层后的晶片的台面的上表面的钝化层，以及非台面区与所述欧姆接触电极区对应的钝化层；

去除晶片的台面的上表面的牺牲层。

可选的，所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P⁺层、碳化硅N层、碳化硅N^-层和碳化硅N⁺层；或

所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P⁺层、碳化硅N^-层和碳化硅N⁺层；或

所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P⁺层和碳化硅N层。

进一步的，所述在晶片上制备台面，包括：

通过光刻和刻蚀工艺刻蚀晶片的非台面区，刻蚀至所述碳化硅P⁺层的上表面。

进一步的，所述衬底为碳化硅衬底。

可选的，所述在去除欧姆接触电极区牺牲层后的晶片的欧姆接触电极区制备欧姆接触电极，包括：

在去除欧姆接触电极区牺牲层后的晶片的欧姆接触电极区蒸镀金属层；

将蒸镀金属层后的晶片在氮气气氛中进行退火处理，制备欧姆接触电极。

可选的，所述台面为具有预设倾斜角度的倾斜台面。