[发明专利]微流控芯片的制造方法

权利要求书

1.一种微流控芯片的制造方法，其特征在于,包括以下步骤：

步骤S1：准备作为介电层的薄膜，所述介电层作为制备电极层的的基底材料；

步骤S2：在所述介电层上利用印刷、打印或者蚀刻的方式形成包含电极层的电路层，所述电路层用于驱动位于所述介电层上与所述电路层相对一面的微液滴。

2.如权利要求1所述的的微流控芯片的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2中形成的所述电路层还包括电线层，所述电极层与所述电线层以共层的形式处于同一层。

3.如权利要求1所述的的微流控芯片的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述电路层还包含绝缘层以及电线层，所述电极层、所述绝缘层以及所述电线层以堆叠的形式形成为多层结构。

4.如权利要求1-3中任一项所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1中准备的介电层为双层结构的薄膜，其中一层为功能膜，另一层为离型膜，而所述电极层形成在所述功能膜上。

5.如权利要求1-3中任一项所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,在所述步骤S1中准备的薄膜为单层结构的薄膜。

6.如权利要求4所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,还包括以下步骤：

步骤S3：将由步骤S2得到的薄膜结构进行加固处理。

7.如权利要求3所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,

所述步骤S2具体包括如下子步骤：

步骤S21：在所述介电层上通过印刷形成所述电极层；

步骤S22：对在所述步骤S21中得到的所述电极层进行固化；

步骤S23：在由所述步骤S22固化后的所述电极层上形成所述绝缘层；

步骤S24：对在所述步骤S23中得到的所述绝缘层进行固化；

步骤S25：在由所述步骤S24固化后的所述绝缘层上形成所述电线层；

步骤S26：对在所述步骤S25中得到的所述电线层进行固化。

8.如权利要求3所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,

所述步骤S2具体包括如下子步骤：

步骤S21：在所述介电层上通过蚀刻形成所述电极层；

步骤S23：在由所述步骤S21形成的所述电极层上形成所述绝缘层；

步骤S24：对在所述步骤S23中得到的所述绝缘层进行固化；

步骤S25：在由所述步骤S24固化后的所述绝缘层上形成所述电线层；

步骤S26：对在所述步骤S25中得到的所述电线层进行固化。

9.如权利要求7所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,还包括以下步骤：

步骤S4：在步骤S3之后在所述薄膜的未形成有所述电路层的一面上涂布疏水层。

10.如权利要求5所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,还包括以下步骤：

步骤S4：在步骤S2之后在所述薄膜的未形成有所述电路层的一面上涂布疏水层。

11.如权利要求8所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,

在步骤S23中，在所述绝缘层形成与所述电极层上的多个电极对应的多个穿孔，在步骤S25中，所述电线层中的各电线分别穿过在步骤S23中形成的所述穿孔而与所述电极层中的各电极分别连接。

12.如权利要求3所述的微流控芯片的制造方法，其特征在于,在步骤S2中形成的所述电极层的厚度为0.1-100um，所述电线层的厚度为0.1-100um。