[发明专利]一种微结构的制备方法

权利要求书

1.一种微结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1)选择衬底，所述衬底为玻璃、硅片、SOI、蓝宝石；步骤2)在所述衬底上沉积一层富氢材料；步骤3)在所述富氢材料上沉积一层光刻胶层；步骤4)形成光刻胶图形化掩膜；步骤5)刻蚀所述富氢材料，形成图形；步骤6)在所述图形上形成聚二甲基硅氧烷；步骤7)对聚二甲基硅氧烷进行固化，形成器件结构；步骤8)对所述富氢材料进行加热，使富氢材料释放出气体，使所述由聚二甲基硅氧烷形成的器件结构从所述富氢材料上分离，形成器件的上层微结构；步骤9)对释放后器件的上层微结构进行粗糙化处理，形成具有一定粗糙度的表面的微结构；步骤10)对具有一定粗糙度的表面的微结构表面进行疏水化处理；步骤11)对安装衬底即将与微结构进行键合的键合面进行表面疏水化处理；步骤12)将所述具有一定粗糙度的表面的微结构与安装衬底进行键合，形成微器件。

2.根据权利要求1所述的微结构的制备方法，其特征在于，所述富氢材料为氢化碳化硅、氢化氧化硅或氢化氮化硅。

3.根据权利要求1所述的微结构的制备方法，其特征在于：所述富氢材料的加热方法为微波加热或激光加热。

4.根据权利要求1或2所述的微结构的制备方法，其特征在于：所述对释放后器件的上层微结构进行粗糙化处理的方法为等离子体粗化。

5.根据权利要求1或2所述的微结构的制备方法，其特征在于：所述疏水化处理为在被处理表面形成一层疏水性能的表面改性层。

6.根据权利要求5所述的微结构的制备方法，其特征在于：所述表面改性层为碳氟化合物。

7.根据权利要求6所述的微结构的制备方法，其特征在于：所述表面改性层的碳氟化合物通过可流动性化学气相沉积形成。